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China igbt transistor

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China Transistor zweipoliges IGBT, TO-220 N Transistor IRG4IBC30S 1.7V Kanal-IGBT zu verkaufen

Transistor zweipoliges IGBT, TO-220 N Transistor IRG4IBC30S 1.7V Kanal-IGBT

Zugeschaltetes IGBT-Transistor-Modul Vielzweckisolierschichtbipolar transistor Transistor-Modul des Silikon-IGBT

Preis: Negotiable

MOQ: 1

Lieferzeit: Negotiable

Marke: Infineon

Yougou Electronics (Shenzhen) Co., Ltd.
ISO14001,ISO13485 Jahr gegründet:2008 Manufacturer
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China IGBT-Module für die Automobilindustrie FS50R12W2T7P IGBT-Module für 1200 V IGBT-Transistoren zu verkaufen

IGBT-Module für die Automobilindustrie FS50R12W2T7P IGBT-Module für 1200 V IGBT-Transistoren

Automobil-IGBT-Module 400A Energie-Modul FS380R12A6T4BBPSA1 Igbt IGBT-Pulver-Modul 1200V

Preis: Contact for Sample

MOQ: 10

Lieferzeit: 3-5 work days

Marke: Original Factory

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
Verteiler/Großhändler
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China Fahrer SCALETM-2 IGBT DUA-Kanal-IGBT und Transistor des MOSFET-Fahrer-Kern-IGBT zu verkaufen

Fahrer SCALETM-2 IGBT DUA-Kanal-IGBT und Transistor des MOSFET-Fahrer-Kern-IGBT

igbt Modul-Fahrerstromkreis Energie-Management-Module igbt Tor-Fahrerstromkreis

Preis: Negotiation

MOQ: 24PCS

Lieferzeit: 1WEEK

Marke: Power Integrations

Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
Jahr gegründet:1998 Manufacturer
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China Ultraschneller Kanal IGBT-Transistor-N, Isolierschichtbipolar transistor mit errichtet in der Diode zu verkaufen

Ultraschneller Kanal IGBT-Transistor-N, Isolierschichtbipolar transistor mit errichtet in der Diode

Isolierschichtbipolar transistor Hochgeschwindigkeitsschaltdiode npn Silikonfototransistor

Preis: Negotiate

MOQ: 10pcs

Lieferzeit: 1-3Days

Marke: ON/Fairchild

Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
Certificate of ATFU Brand,Business License Jahr gegründet:2012 Verteiler/Wholesaler
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China TO-247 90A 600V IGBT Transistor/Energie-Isolierschichtbipolar transistor zu verkaufen

TO-247 90A 600V IGBT Transistor/Energie-Isolierschichtbipolar transistor

n-Kanal mosfet-Transistor Hochspannungsmosfet-Transistor smd mosfet-Transistor

Preis: negotiable

MOQ: 5PCS

Lieferzeit: 1-2 working days

Marke: IR/Thinkchip

G-Resource Electronics Co.,Ltd
iso9001,iso14001 Jahr gegründet:2009 Hersteller
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China Industrielles Transistor-Modul Eupec-hoher Leistung IGBT des Modul-FS150R12KE3 IGBT zu verkaufen

Industrielles Transistor-Modul Eupec-hoher Leistung IGBT des Modul-FS150R12KE3 IGBT

intelligente Power-Modul Hochfrequenz-igbt Fuji-igbt Module

Preis: Negotiable

MOQ: 1pcs

Lieferzeit: 0-2 days

Marke: Eupec

Guangzhou Sande Electric Co.,Ltd.
Jahr gegründet:2014 Verteiler/Wholesaler
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China Transistor des RJH60F7ADPK-Energie Mosfet-Transistor-Silikon-N des Kanal-IGBT zu verkaufen

Transistor des RJH60F7ADPK-Energie Mosfet-Transistor-Silikon-N des Kanal-IGBT

Silikonleistungstransistoren multi Emittertransistor Energie mosfet IC

Preis: Negotiate

MOQ: 20pcs

Lieferzeit: 1 day

Marke: Anterwell

Anterwell Technology Ltd.
CERTIFICATE OF INCORPORATION,BUSINESS REGISTRATION RAGULATIONS Jahr gegründet:2004 Verteiler/Wholesaler
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China IGBT-Transistor Stahlschalen Schmelzofen Hohe Sicherheit Kurze Schmelzzeit zu verkaufen

IGBT-Transistor Stahlschalen Schmelzofen Hohe Sicherheit Kurze Schmelzzeit

Kupfer-Induktionsöfen Mittelfrequenzöfen Stahlschalenöfen

Preis: Negotiable

MOQ: Negotiable

Lieferzeit: Negotiable

Marke: Huarui

Shandong Huarui Electric Furnace Co., Ltd.
GB/T19001-2016/ISO9001:2015,Patent Jahr gegründet:2011 Hersteller
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China ORIGINAL 600V 120A 298W 60n60 DIP IGBT Transistor FGH60N60SFD FGH60N60SFDTU FGH60N60SMD FGH60N60 zu verkaufen

ORIGINAL 600V 120A 298W 60n60 DIP IGBT Transistor FGH60N60SFD FGH60N60SFDTU FGH60N60SMD FGH60N60

IS61C3216 AL Micron ISSI Samsung IC integrierte Chip VFBGA-63 Mikrometer ISSI Samsung D-RAM 4GBIT

Preis: $1.10/pieces 1-999 pieces

MOQ: Negotiable

Lieferzeit: Negotiable

Marke: ORIGINAL

ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Authority certificate,ISO Jahr gegründet:2015 Manufacturer
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China Aufladestelle Hochleistungs-IGBT-Transistor Mehrzweck für OBC zu verkaufen

Aufladestelle Hochleistungs-IGBT-Transistor Mehrzweck für OBC

Industrielle Hochleistungs-IGBT IGBT Hochfrequenzstabil Aufladestelle Ultra-Schnelle IGBT

Preis: Confirm price based on product

MOQ: Negotiable

Lieferzeit: 2-30 days (Depends on Total Quantity)

Marke: REASUNOS

Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.
REACH of Package-1,ISO9001 Jahr gegründet:2007 Manufacturer
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China Aufladestelle Inverter IGBT Transistor Mehrzweck für OBC zu verkaufen

Aufladestelle Inverter IGBT Transistor Mehrzweck für OBC

Igbt-Solarumrichter IGBT-Leistungsumrichter IGBT-Halbleiter

Preis: Inquire

MOQ: Inquire

Lieferzeit: 2-30days(Depends on the quantity of the order)

Marke: LX

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Jahr gegründet:2012 Hersteller
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China SIEMENS - 6SY7000-0AC37 IGBT-TRANSISTOR MODUL FZ1200R16KF4 1200 ein 1600V zu verkaufen

SIEMENS - 6SY7000-0AC37 IGBT-TRANSISTOR MODUL FZ1200R16KF4 1200 ein 1600V

Diodenredundanzmodul analoger Interface-Baustein plc-Stromversorgungsmodul

Preis: Negotiable

MOQ: Negotiable

Lieferzeit: Negotiable

Marke: SIEMENS

Shenzhen Wisdomlong Technology CO.,LTD
Jahr gegründet:2010 Importer
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China MODUL SIEMENS 6SY7000-0AD50 SIMATIC IGBT-TRANSISTOR zu verkaufen

MODUL SIEMENS 6SY7000-0AD50 SIMATIC IGBT-TRANSISTOR

SIEMENS SPS SIMATIC unterbrechungsfreie SPS SIMATIC SIEMENS ANALOGEINGANGSKARTE

Preis: Negotiable

MOQ: 1pc

Lieferzeit: 2-3 days

Marke: SIEMENS

Wuhan Sean Automation Equipment Co.,Ltd
Jahr gegründet:2016 Händler/Großhändler
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China Niedrige Schaltverluste Infineon Diskret IGBT Transistor Modul OEM zu verkaufen

Niedrige Schaltverluste Infineon Diskret IGBT Transistor Modul OEM

IGBT-Transistor-Modul Infineon Discrete IGBT Sic IGBT-Modul

Preis: Negotiable

MOQ: Negotiable

Lieferzeit: Negotiable

Jiangsu Solid Power Semiconductor Co.,Ltd
CERTIFICATE OF QUALITY MANAGEMENT SYSTEM CERTIFI CATION Jahr gegründet:2021 Hersteller Exporteur Verkäufer
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China TO247 Package 800V 4A Bidirectional Thyristor for Stable IGBT Transistor Performance zu verkaufen

TO247 Package 800V 4A Bidirectional Thyristor for Stable IGBT Transistor Performance

Elektronische Komponenten Betriebsverstärker Integrierte Schaltungen Betriebsverstärker Betriebsverstärker für integrierte Schaltungen

Preis: $0.11/pieces 1-99 pieces

MOQ: Negotiable

Lieferzeit: Negotiable

Marke: other

Shenzhen Yudatong Trading Co., Ltd.
Jahr gegründet:2017 Verteiler/Wholesaler
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China IHW30N160R2 IGBT-Transistor H30R1602 Leistungshalbleiter zu verkaufen

IHW30N160R2 IGBT-Transistor H30R1602 Leistungshalbleiter

Energie Infineon HEXFET MOSFET Kanal 55V 30A MOSFET N MOSFET Energie 55V 30A HEXFET

Preis: Negotiated

MOQ: 10pieces

Lieferzeit: 2-15days

Marke: Infineon Technologies/International Rectifier IOR

Angel Technology Electronics Co
Jahr gegründet:2006 Hersteller
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China GD200FFY120C6S Transistor IGBT-Modul 1,2 KV 309A Halbleiter zu verkaufen

GD200FFY120C6S Transistor IGBT-Modul 1,2 KV 309A Halbleiter

Der Name des Herstellers: SKY65313-21 igbt Modulhersteller 900 MHz-Igbt-Modul

Preis: Email us for details

MOQ: 1pcs

Lieferzeit: 1day

Marke: StarPower

Wisdtech Technology Co.,Limited
environmental management system,Occupational health and safety system Verkäufer
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China Leistungstransistor FGH60N60SMD 600V 60A des Strangregulierungs-Feld-Endigbt zu verkaufen

Leistungstransistor FGH60N60SMD 600V 60A des Strangregulierungs-Feld-Endigbt

igbt power transistor mosfet power module high power igbt module

Preis: negotiable

MOQ: 30 pieces

Lieferzeit: 1-2 working days

Marke: Fairchild/ON

Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
ISO9001,ISO14001 Jahr gegründet:1995 Verteiler/Großhändler
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China Ansaugluftvorwärmungs-einfache Operations-Transistor-Hochfrequenz 160kw IGBT zu verkaufen

Ansaugluftvorwärmungs-einfache Operations-Transistor-Hochfrequenz 160kw IGBT

Induktionsheizkörper Induktionsheizungsofen Induction Heating Equipment

MOQ: 1 set

Lieferzeit: 5-7 working days after receiving advanced payments

Marke: Lanshuo

Zhengzhou Lanshuo Electronics Co., Ltd
CE,ISO9001 Jahr gegründet:2003 Hersteller
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