Diskrete Halbleiter
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KBL410 KBL610 Siliziumbrückengleichrichter KBPC610 Diskrete Halbleiterprodukte
Preis: Negotiated
MOQ: 10pieces
Lieferzeit: 2-15days
Marke: MDD
Markieren:KBL610 Silizium-Brückengleichrichter, KBL410 Silizium-Brückengleichrichter, KBPC610 Diskrete Halbleiterprodukte
KBL410 KBL610 KBU610 KBU810 KBU1010 KBU1510 KBU2510 KBPC610 KBL-Serie
Siliziumbrückengleichrichter Dioden-Brückengleichrichter -Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren
Beschreibung:
Durchgangsloch-Silizium-Brückengleichrichter, Serie KBL, Typ KBL410, 4 Pins, Sperrspannung 1000 V max.Vorwärts... Mehr sehen
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V20PWM45 Vishay Semiconductor TMBS Trench MOS Barrier Schottky Gleichrichter
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Vishay General Semiconductor
Markieren:V20PWM45 Vishay Semiconductor, Vishay Semiconductor TMBS Trench, MOS Barrier Schottky Gleichrichter
V20PWM45 V20PWM45C-M3/I Vishay Semiconductor Hochstromdichte TMBS Trench MOS Barrier Schottky Gleichrichter DPAK Diskrete Halbleiterprodukte V20PWM45:Oberflächenmontierter TMBS®-Gleichrichter (Trench MOS Barrier Schottky) mit hoher Stromdichte, extrem niedrige VF = 0,35 V bei IF = 5 AV20PWM45COberfl... Mehr sehen
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TIP122 TIP127 TIP142P NPN PNP Transistor Bipolare diskrete Halbleiter
Preis: Negotiated
MOQ: 10pieces
Lieferzeit: 2-15days
Marke: STMicroelectronics
Markieren:TIP142P NPN-PNP-Transistor, TIP122 TIP127 NPN-PNP-Transistor, bipolare diskrete Halbleiter
TIP35C TIP41C TIP42C TIP122 TIP127 TIP142P
Komplementäre NPN-PNP-Transistoren Bipolare diskrete Halbleiterprodukte
Komplementäre Leistungstransistoren
Beschreibung:
Die Geräte werden in Planartechnik mit „Base Island“-Layout gefertigt.Die resultierenden Transistoren zeigen eine außergewöhnli... Mehr sehen
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D15XB100 Induktionsherd Brückengleichrichter 15A 1000V SIP4
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: SHINDENGEN
Markieren:D15XB100 Induktionsherd Brückengleichrichter, Induktionsherd Brückengleichrichter 15A 1000V, SIP4 Brückengleichrichter für Induktionsherd
D15X100 D15XB100 SHINDENGEN Brückengleichrichter 15A 1000V SIP4 für Induktionsherd
Technische Produktspezifikationen
Artikelnummer
D15X100
Basis-Teilenummer
D15XB100
EU-RoHS
Freistellung konform
ECCN (USA)
EAR99
Teilestatus
Aktiv
HTS
8541.29.00.95
SVHC
ja
SVHC ü... Mehr sehen
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06N90E FMV06N90E FMH06N90E Diskrete Halbleiter 900V 6A
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: FUJI
Markieren:FMH06N90E Diskrete Halbleiter, FMV06N90E Diskrete Halbleiter, 06N90E FMV06N90E
06N90E FMV06N90E FMH06N90E Mosfet 900V 6A TO 220F Elektronische Komponenten
06N90E FMV06N90E FMH06N90E Mosfet 900V 6A BIS 220F
Technische Produktspezifikationen
Artikelnummer
FMV06N90E FMH06N90E
Basis-Teilenummer
06N90E
EU-RoHS
Freistellung konform
ECCN (USA)
EAR99
Teilesta... Mehr sehen
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GT50N322A 50N322 IGBT N-Kanal Diskrete Halbleiter Durchsteckmontage
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Toshiba America Electronic Components
Markieren:50N322 IGBT N-Kanal, GT50N322A IGBT N-Kanal, IGBT N-Kanal Diskrete Halbleiter
GT50N322A 50N322 Toshiba America Electronic Components IGBT N-Kanal 1000 V 3-Pin TO-3P(N) DISKRETE IGBT-Komponenten
Technische Produktspezifikationen
Artikelnummer
GT50N322A
Basis-Teilenummer
50N322
EU-RoHS
Freistellung konform
ECCN (USA)
EAR99
Teilestatus
Aktiv
HTS
854... Mehr sehen
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Infineon HEXFET Leistungs-MOSFET N-Kanal 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Markieren:Infineon HEXFET-Leistungs-MOSFET, MOSFET N-Kanal 55 V 30 A, 55 V 30 A HEXFET-Leistungs-MOSFET
IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/International Gleichrichter IOR HEXFET MOSFET N-Kanal 55 V 30 A DPAK Diskrete Halbleiterprodukte
N-Kanal 55 V 30 A (Tc) 120 W (Tc) Oberflächenmontage D-Pak
Beschreibung
Dieser HEXFET®-Leistungs-MOSFET verwendet die neuesten Verarbeitungstechniken, um eine... Mehr sehen
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IRFB4310PBF 100V 130A FET HEXFET Power Mosfet IRFB7440PBF 40V 120A
Preis: Negotiated
MOQ: 10pieces
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Markieren:100V 130A FET HEXFET Power Mosfet, IRFB4310PBF, IRFB7440PBF
IRFB7440PBF 40V 120A IRFB4310PBF 100V 130A IRFB4115PBF 150V 104A Transistoren TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs
Transistoren N-Kanal 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs
---IRFB7440PBF 40 V 120 A IRFB4310PBF 100 V 130 A IRFB4115PBF 150 V 104 A
Beschreibung:
Dieser HEXFET®-Leistung... Mehr sehen
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IRF1404ZPBF N-Kanal-Transistor 180A 200W HEXFET FET MOSFET
Preis: Negotiated
MOQ: 10pieces
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Markieren:IRF1404ZPBF N-Kanal-Transistor, 180 A 200 W HEXFET FET MOSFET, N-Kanal-Transistor 180 A 200 W
IRF1404ZPBF Transistoren N-Kanal 180A 200W Through Hole TO-220AB HEXFET FETs MOSFETs
N-Kanal 180A (Tc) 200W (Tc) Durchgangsloch TO-220AB Spezifikation:
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Herst
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BTA16-800CW BTA16 TRIAC Thyristor 800V 16A Diskrete Halbleiter
Preis: Negotiated
MOQ: 10pieces
Lieferzeit: 2-15days
Marke: STMicroelectronics
Markieren:800 V 16 A Diskrete Halbleiter, BTA16 TRIAC Thyristor, BTA16-800CW BTA16
BTA16-800CW TRIAC Standard 800 V 16 A Through Hole TO-220 Discrete Semiconductor Products Thyristoren --TRIAC Standard 800 V 16 A Durchgangsloch TO-220 T1610, T1635, T1650 BTA16, BTB16Datenblatt für Snubberless™, Logikpegel und standardmäßige 16-A-Triacs Anwendungen• Snubberless Versionen (BTA/BTB..... Mehr sehen
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IHW30N160R2 IGBT-Transistor H30R1602 Leistungshalbleiter
Preis: Negotiated
MOQ: 10pieces
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Markieren:IHW30N160R2 IGBT-Transistor, H30R1602 Leistungshalbleiter, IHW30N160R2
IHW30N160R2 IGBTs Transistoren H30R1602 Soft Switching Series Leistungshalbleiter-IC IHW30N160R2FKSA1Soft-Switching-Serie
Anwendungen:
• Induktives Kochen
• Soft-Switching-Anwendungen
Beschreibung:
TrenchStop® Reverse Conducting (RC-)IGBT mit monolithischer Body-Diode
Merkmale:
• Leistungss... Mehr sehen
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IXYS IXGH24 Diskrete Hochspannungs-IGBT-Halbleiter IXGH24N170
Preis: Negotiated
MOQ: 10pieces
Lieferzeit: 2-15days
Marke: IXYS
Markieren:IXGH24 Hochspannungs-IGBT, IXYS Hochspannungs-IGBT, diskrete IGBT-Halbleiter
IXGH24N170 IXYS Hochspannungs-IGBT IXGH24 IGBT 1700 V 50 A 250 W TO247AD Diskrete Halbleiterprodukte
Spezifikation: Hochspannungs-IGBT NPT 1700 V 50 A 250 W Durchgangsloch TO-247AD
Artikelnummer
IXGH24N170
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Transist... Mehr sehen
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Zweipoliger BJT Transistor-getrennte Halbleiter PBHV8540X PBHV8540 Nexperia
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Nexperia USA Inc.
Markieren:PBHV8540X, PBHV8540, Zweipoliger BJT Transistor Nexperia
Zweipoliger (BJT) Transistor 500V 0,5 PBHV8540X PBHV8540 Nexperia EIN NPN ein niedriger VCEsat (BISS) Hochspannungstransistor NPN
Getrennter niedriger VCEsat (BISS) Hochspannungstransistor der Halbleiter-Produkte-EIn NPN
Beschreibung:
Niedriger VCEsat Hochspannungsdurchbruch NPN im diffe... Mehr sehen
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FETs Transistoren MOSFET 49V 80A N-Kanal BTS282Z E3230 TO220-7
Preis: Negotiated
MOQ: 10pieces
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Infineon Technologies/International Rectifier IOR
Markieren:FETs Transistoren 49V 80A, N-Kanal MOSFET-Transistoren FETs
FETs Transistoren MOSFET 49V 80A N-Kanal BTS282Z E3230 TO220-7
Energie BTS282ZE3230AKSA2 MOSFET von Infineon Technologies. Seine Höchstleistungsableitung ist 300000 mW.
Um Teile sicherzustellen werden nicht durch das Massenverpacken, dieses Produkt kommt in Röhrenverpackung mehr ein wenig zu ... Mehr sehen
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Energie Mosfets der n-Kanal-Transistor-getrennte Halbleiter-SIHF10N40D-E3
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Vishay Semiconductor
Markieren:Energie SIHF10N40D-E3 Mosfets, N-Kanal-Transistor, Getrennte Halbleiter SIHF10N40D-E3
Kanaltransistor Energie SIHF10N40D-E3 Mosfets N funktioniert im AnreicherungstypVishays SIHF10N40D-E3 Höchstleistungsableitung ist 33000 mW. Dieser n-Kanal MOSFET-Transistor funktioniert im Anreicherungstyp.
Dieser MOSFET-Transistor hat eine minimale Betriebstemperatur von °C -55 und ein Maximum vo... Mehr sehen
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IRF1404 IRF1404PBF N-Kanal-Leistungs-MOSFET 40 V Diskrete Halbleiter
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: INFINEON
Markieren:IRF1404PBF N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IRF1404 N-Kanal-Leistungs-MOSFET, Diskrete 40-V-MOSFET-Halbleiter
IRF1404 IRF1404PBF IRF1404Z IRF1404ZPBF 40-V-Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO-220-Gehäuse
Über IRF1404PBF:
Zusammenfassung der Funktionen
IRF1404 40-V-Einzel-N-Kanal-Leistungs-MOSFET in einem TO-220-Gehäuse
Planare Zellstruktur für Wide SOA
Optimiert für die breiteste Verfügbarkeit... Mehr sehen
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I2C-Bus-kontrollierter Verstärker IC TDF8546 DF8546JV/N2Z TDF8546J/N2 TDF8546JS
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Philip
Markieren:DF8546JV-/N2Zverstärker IC, TDF8546J-Verstärker IC, Bus-kontrollierter Verstärker IC
Leistungsfähigkeits-Verstärker IC Busses TDF8546 DF8546JV/N2Z TDF8546J/N2 TDF8546JS I2C kontrollierter bester
Zusammenfassung von Eigenschaften
Das TDF8546 ist eins einer neuen Generation der ergänzendes Viererkabel Brücke-gebundenen Audioendverstärker der Last (BTL), die für Automobilanwe... Mehr sehen
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IKW75N60TXK IKW75N60 K75T60 GETRENNTES IGBT durch Infineon Technologies
Preis: Negotiated
MOQ: 10
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Infineon Technologies
Markieren:K75T60 Infineon getrenntes Igbt, IKW75N60TXK Infineon getrenntes Igbt
IKW75N60TXK IKW75N60 K75T60 GETRENNTES IGBT durch Infineon Technologies
IGBT in TRENCHSTOP™ und Fieldstop-Technologie mit weiche schnelle Wiederaufnahme anti-parallelem Emitter steuerten IHN Diode
Anwendungen:
FrequenzumsetzerUnunterbrochene Stromversorgung
Ähnlichere IGBT-Teilnummer f... Mehr sehen
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Des Energie-Moduls BSM50GD120DN2 BSM50GD120DN2BOSA1 IGBT elektronische Bauelemente
Preis: Negotiated
MOQ: 10pieces
Lieferzeit: 2-15days
Marke: Infineon Technologies
Markieren:Energie-Modul BSM50GD120DN2 IGBT, Energie-Modul BSM50GD120DN2BOSA1 IGBT
Des Energie-Moduls BSM50GD120DN2 BSM50GD120DN2BOSA1 IGBT elektronische Bauelemente
BSM 50 GD 120 DN2 SeriseBeschreibung:• Energiemodul
• 3-phasige Vollbrücke
• Einschließlich schnell laufen Sie Dioden frei
• Paket mit metallhaltiger Isolierplatte
Energie-Modul-Spezifikation BSM50GD120DN2 BS... Mehr sehen
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PM080P150CG Powercube Halbmittelspannungs-Mosfet
Preis: Negotiated
MOQ: 10pcs
Lieferzeit: Negotiable
Angel Technology Electronics ist ein führender Distributor von Powercube Semi.
PM080P150CG Powercube Halbmittelspannungs-Mosfet Für die Gesundheitsversorgung, drahtloses Ladegerät
Anwendungen:
Gesundheitswesen, drahtloses Ladegerät
PSF70060B is PowerCubeSemi’s second generation of high vol... Mehr sehen
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