Freescale/NXP 3-Kanal-kapazitiver Touch-Controller Ic mit I2C-Schnittstelle MPR032EPR2
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Markieren:3 Channel capacitive touch controller ic, MPR032EPR2 capacitive touch controller ic
The MPR032EPR2,from Freescale / NXP,is Capacitive Touch Sensors.what we offer have competitive price in the global market,which are in original and new parts.If you would like to know more about the products or apply a lower price, please contact us through the “online chat” or send a quote to us! Mehr sehen
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NXP USA Inc. LDMOS 1.93GHz - 1.99GHz Chassis Mount Transistoren mit 13dB Gewinn
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RF Mosfet 26 V 850 mA 1.93GHz ~ 1.99GHz 13dB 18W NI-780H-2L Mehr sehen
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Frequenz 150 MHz NPN Bipolartransistor 80 mA Max-Strom 50V Kollektor Auflösung 100mW Panasonic SSSMini3-F1
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 80 mA 150 MHz 100 mW Surface Mount SSSMini3-F1 Mehr sehen
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Diskreter vorgespannter NPN-Transistor, 100 mA, 50 V, Oberflächenmontage, 200 mW Leistung, Panasonic MINI3-G3-B – nicht mehr erhältlich
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 200 mW Surface Mount MINI3-G3-B Mehr sehen
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1000W LDMOS Power RF FETs für Chassis Mount 110V 1,03GHz Dual Transistors NXP USA Inc.
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RF Mosfet 50 V 150 mA 1.03GHz 20dB 1000W NI-1230 Mehr sehen
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Oberflächenmontage JFET Halbleiter 25V 15mA N Channel Discrete Components von NXP USA Inc.
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RF Mosfet SOT-23 (TO-236AB) Mehr sehen
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NXP USA Inc. Aktiver Bulk-PDTA144VM-Transistor für Spannungsanwendungen
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) Mehr sehen
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150MHz NPN Vorverzerrter Transistor 50V Ausfalloberfläche Montage Panasonic SMini3-F2 150mW Leistung
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-F2 Mehr sehen
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Veraltete LDMOS RF FETs 65V 23W 2.16-2.17GHz 13,5 dB Gewinn - NXP USA Inc.
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RF Mosfet 28 V 1.05 A 2.16GHz ~ 2.17GHz 13.5dB 23W NI-780H-2L Mehr sehen
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NXP USA Inc. PDTA14 Diskreter bipolarer Transistor
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Veraltete NXP USA Inc. 120V Dual LDMOS RF FETs 225MHz 125W 25dB Verstärkung des Chassis-Mount-Transistors
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RF Mosfet 50 V 2.6 A 225MHz 25dB 125W NI-1230-4H Mehr sehen
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Veraltete NXP USA Inc. LDMOS-Transistoren 2,69GHz 15,6dB Gewinn 28W Ausgang
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RF Mosfet 28 V 900 mA 2.69GHz 15.6dB 28W NI-780H-2L Mehr sehen
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Veraltete Panasonic-Elektronikkomponenten UNR511 PNP Vorverzerrter Transistor für 80MHz-Übergangsfrequenz
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 80 MHz 150 mW Surface Mount SMini3-F2 Mehr sehen
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Veraltete NXP USA Inc. BF245 JFET 30V N-Kanal TO-92-3 Transistoren für 100MHz-HF-Anwendungen
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RF Mosfet 15 V 100MHz TO-92-3 Mehr sehen
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Veralteter NXP USA Inc. PNP Bipolar Transistor 50V Ausfallspannung 250mW Leistung SMT3 Oberflächenmontage
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount SMT3; MPAK Mehr sehen
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Veralteter NXP USA Inc. PNP Vorverzerrter Transistor SC-75 150mV 500μA 10mA 50V 150mW
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Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 150 mW Surface Mount SC-75 Mehr sehen
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Oberflächenmontage LDMOS RF FETs 65V 24W Leistungsausgang 1,88GHz Frequenz Dualkonfiguration NXP NI-780S-4L
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RF Mosfet 28 V 500 mA 1.88GHz ~ 1.91GHz 16dB 24W NI-780S-4L Mehr sehen
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22W LDMOS RF FETs 1,99 GHz Chassis Mount Transistoren - NXP USA Inc.
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RF Mosfet 28 V 900 mA 1.99GHz 16.1dB 22W NI-780H-2L Mehr sehen
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NXP USA Inc. 1,99GHz 65V LDMOS Chassis Mount RF FETs 24W Transistor
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RF Mosfet 28 V 750 mA 1.99GHz 18dB 24W NI-780S Mehr sehen
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Veraltete 70V LDMOS RF FETs 960MHz 65W 19.4dB Chassis Mount Halbleitertransistoren NXP USA Inc.
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RF Mosfet 28 V 1.6 A 960MHz 19.4dB 65W NI-780H-2L Mehr sehen
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