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China igbt power transistor

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China 650V-1200V IGBT-Leistungstransistor für leistungsstarke elektronische Steuerungen zu verkaufen

650V-1200V IGBT-Leistungstransistor für leistungsstarke elektronische Steuerungen

Hochspannungs-IGBT N-Kanal IGBT IGBT-Leistungstransistor

Preis: Confirm price based on part number

MOQ: Confirm quantity based on part number

Lieferzeit: comfirm

Marke: Lingxun

Guangdong Lingxun Microelectronics Co., Ltd
Jahr gegründet:2012 Hersteller
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China Leistungstransistor FGH60N60SMD 600V 60A des Strangregulierungs-Feld-Endigbt zu verkaufen

Leistungstransistor FGH60N60SMD 600V 60A des Strangregulierungs-Feld-Endigbt

igbt power transistor mosfet power module high power igbt module

Preis: negotiable

MOQ: 30 pieces

Lieferzeit: 1-2 working days

Marke: Fairchild/ON

Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.
ISO9001,ISO14001 Jahr gegründet:1995 Verteiler/Großhändler
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China Integrated Circuit Chip DG120X07T2 Single Phase H-Bridge IGBT Power Transistors zu verkaufen

Integrated Circuit Chip DG120X07T2 Single Phase H-Bridge IGBT Power Transistors

Chip 24-PQFN der integrierten Schaltung TUSB1002ARGER Zweikanallineares Integrierte Chips QFN24

Preis: Contact for Sample

MOQ: 10

Lieferzeit: 3-5 work days

Marke: Original Factory

ShenZhen Mingjiada Electronics Co.,Ltd.
Verteiler/Großhändler
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China Hochsicherheit Elektrische Induktionsschmelzsystem IGBT Zelltransistor Stromversorgung zu verkaufen

Hochsicherheit Elektrische Induktionsschmelzsystem IGBT Zelltransistor Stromversorgung

Induktionsschmelzofen Induktions-schmelzendes System Igbt-Induktionsöfen

Preis: to be negotiated

MOQ: 1

Lieferzeit: 30~45 days

Marke: first class

Shandong Huarui Electric Furnace Co., Ltd.
GB/T19001-2016/ISO9001:2015,Patent Jahr gegründet:2011 Hersteller
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China Energie-Modul 30GG2Z11 IGBT/TOSHIBA-Isolierschichtbipolar transistor zu verkaufen

Energie-Modul 30GG2Z11 IGBT/TOSHIBA-Isolierschichtbipolar transistor

Isolierschichtbipolar transistor Hochspannungs-igbt hohes gegenwärtiges igbt

Preis: negotiable

MOQ: 1 Pcs

Lieferzeit: 2-3 working days

Marke: TOSHIBA

G-Resource Electronics Co.,Ltd
iso9001,iso14001 Jahr gegründet:2009 Hersteller
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China Chip Mosfet-Leistungstransistor-Halbbrücke-Tor-Fahrer IC 14-DIP IR2110PBF IGBT Fahrer-IC zu verkaufen

Chip Mosfet-Leistungstransistor-Halbbrücke-Tor-Fahrer IC 14-DIP IR2110PBF IGBT Fahrer-IC

p-Kanal mosfet-Transistor Hochgeschwindigkeitsmosfet-Transistor n-Kanal mosfet-transisto

Preis: Negotiate

MOQ: 10pcs

Lieferzeit: 1-3Days

Marke: IR

Shenzhen ATFU Electronics Technology ltd
Certificate of ATFU Brand,Business License Jahr gegründet:2012 Verteiler/Wholesaler
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China Multifunktionaler Leistungstransistor und IGBT Hochspannung 1200V 40A zu verkaufen

Multifunktionaler Leistungstransistor und IGBT Hochspannung 1200V 40A

Industrielle Hochleistungs-IGBT IGBT Hochfrequenzstabil Aufladestelle Ultra-Schnelle IGBT

Preis: Confirm price based on product

MOQ: Negotiable

Lieferzeit: 2-30 days (Depends on Total Quantity)

Marke: REASUNOS

Reasunos Semiconductor Technology Co., Ltd.
REACH of Package-1,ISO9001 Jahr gegründet:2007 Manufacturer
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China Breiter Band 700-3600MHz 20W Rf-Leistungstransistor LDMOS FETs 28V Breitband-LDMOS Rf-Transistor, Rf-Transistoren der hohen Leistung zu verkaufen

Breiter Band 700-3600MHz 20W Rf-Leistungstransistor LDMOS FETs 28V Breitband-LDMOS Rf-Transistor, Rf-Transistoren der hohen Leistung

Rf-Transistor der hohen Leistung Rf-Endverstärkertransistor Hochfrequenzleistungstransistor

Preis: Negotiable

MOQ: 1pcs

Lieferzeit: 5-8 working days

Marke: VBE

VBE Technology Shenzhen Co., Ltd.
Computer software copyright registration certificate,Computer software copyright registration certificate Jahr gegründet:2010 Hersteller
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China Kühler MOS™ Leistungstransistor npn SPA04N60C3 darlington Leistungstransistor Energie Mosfet-Transistor- zu verkaufen

Kühler MOS™ Leistungstransistor npn SPA04N60C3 darlington Leistungstransistor Energie Mosfet-Transistor-

npn smd Transistor multi Emittertransistor Silikonleistungstransistoren

Preis: Negotiate

MOQ: 10pcs

Lieferzeit: 1 day

Marke: Anterwell

Anterwell Technology Ltd.
CERTIFICATE OF INCORPORATION,BUSINESS REGISTRATION RAGULATIONS Jahr gegründet:2004 Verteiler/Wholesaler
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China BSM35GP120 BSM35GP Frequenzsteuerung 7-Pack IGBT-Leistungsmodul Trans-IGBT-Modul zu verkaufen

BSM35GP120 BSM35GP Frequenzsteuerung 7-Pack IGBT-Leistungsmodul Trans-IGBT-Modul

Elektronische Bauelemente Soems STM32L073V8T6 32 gebissene elektronische Bauelemente Mikroregler-Soems 32 gebissenes Mikroregler St. ICS

Preis: $10.00 - $20.10/pieces

MOQ: Negotiable

Lieferzeit: Negotiable

Marke: Original brand

ShenZhen QingFengYuan Technology Co.,Ltd.
Authority certificate,ISO Jahr gegründet:2015 Manufacturer
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China Leistungstransistor-Kollektor-Emitter-Spannung 30v der RoHS-Spitzen-Leistungstransistor-NPN zu verkaufen

Leistungstransistor-Kollektor-Emitter-Spannung 30v der RoHS-Spitzen-Leistungstransistor-NPN

Transistor pnp der hohen Leistung Spitzen-Reihentransistoren

Preis: Negotiated

MOQ: 1000-2000 PCS

Lieferzeit: 1 - 2 Weeks

Marke: OTOMO

Beijing Silk Road Enterprise Management Services Co.,LTD
Jahr gegründet:2009 Hersteller
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China Energie-Modul FF50R12RT4 34mm 1200V Infineon IGBT verdoppeln IGBT mit schnellem Graben/Fieldstop zu verkaufen

Energie-Modul FF50R12RT4 34mm 1200V Infineon IGBT verdoppeln IGBT mit schnellem Graben/Fieldstop

Hochleistungs-IGBT-Modul eupec igbt Modul Automotive igbt

Preis: Negotiable

MOQ: 1 set

Lieferzeit: 25 days after signing the contract

Marke: Infineon

Hontai Machinery and equipment (HK) Co. ltd
Jahr gegründet:2000 Exporteur
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China Energie-Modul IGBT 1200V 300A FF300R12KT4 der elektronischen Bauelement-IGBT zu verkaufen

Energie-Modul IGBT 1200V 300A FF300R12KT4 der elektronischen Bauelement-IGBT

igbt Fahrermodul intelligentes Energiemodul IGBT-Power-Modul

Preis: Negotiation

MOQ: 10PCS

Lieferzeit: 3-5days

Marke: Infineon Technologies

Shenzhen Hongxinwei Technology Co., Ltd
Jahr gegründet:1998 Manufacturer
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China Ursprünglicher Mosfet-Leistungstransistor/Plastikp-Kanal-Transistor zu verkaufen

Ursprünglicher Mosfet-Leistungstransistor/Plastikp-Kanal-Transistor

Transistor der hohen Leistung mosfet-Leistungstransistor p-Kanaltransistor

Preis: Negotiated

MOQ: Negotiable

Lieferzeit: 1 - 2 Weeks

Marke: JC

Shenzhen Canyi Technology Co., Ltd.
Jahr gegründet:2000 Händler/Großhändler
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China Feld-Effekt-Transistor CER 800V CoolMOSTM Leistungstransistor-IPA80R1K4CE zu verkaufen

Feld-Effekt-Transistor CER 800V CoolMOSTM Leistungstransistor-IPA80R1K4CE

Schottky Barrier Diode hohe gegenwärtige Schottky-Diode Fernsehschutzdiode

Preis: Negotiable

MOQ: 100 / Negotiable

Lieferzeit: 7~10 Working days

Marke: Julun

JULUN (H.K)CO.,LTD (DONGGUAN JULUN ELECTRONICS CO.,LTD)
Business license,UL Jahr gegründet:2009 Hersteller
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China L-Reihen Dreiphasen-IGBT PM150RLB060 Intellimod™ Inverter + Volt Amperes/600 MITSUBISHIS IGBT der Bremse150 Energie-Modul zu verkaufen

L-Reihen Dreiphasen-IGBT PM150RLB060 Intellimod™ Inverter + Volt Amperes/600 MITSUBISHIS IGBT der Bremse150 Energie-Modul

12v zum Inverter 220v 12v zum Inverter 110v 12-Volt-Inverter

Preis: Pls Contact sales team

MOQ: 1 Pcs

Lieferzeit: 1 day

Marke: MITSUBISHI

CHINA UPS Electronics Co., Ltd.
ISO,ISO Jahr gegründet:2006 Hersteller
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China STGIPS20K60 Leistungstreibermodul IGBT-Leistungs-DIP-Modul Diskreter Halbleiter zu verkaufen

STGIPS20K60 Leistungstreibermodul IGBT-Leistungs-DIP-Modul Diskreter Halbleiter

Nicht lokalisierter PoL Module TLF80511TFV50 80511V5 TO-252 SMD Transistor

Preis: Negotiated

MOQ: 1pieces

Lieferzeit: 5-8Working

Marke: STMicroelectronics

Angel Technology Electronics Co
Jahr gegründet:2006 Hersteller
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China Smooth Surface Ceramics Substrate For HBLED, Opto-Communication, IGBT, Power Devices, TEC zu verkaufen

Smooth Surface Ceramics Substrate For HBLED, Opto-Communication, IGBT, Power Devices, TEC

Laserbearbeitungs-keramische Substrate Aluminiumoxid-keramisches Substrat Aluminiumoxid-Keramiksubstrat

Preis: 1usd

MOQ: 10p

Lieferzeit: 30days

Marke: wuxi special ceramic

Wuxi Special Ceramic Electrical Co.,Ltd
Jahr gegründet:2008 Manufacturer
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China 5SHX36L4521 5SXE10-0181 AC10272001R0101 ABB IGBT Power module zu verkaufen

5SHX36L4521 5SXE10-0181 AC10272001R0101 ABB IGBT Power module

abb plc advant Prüfer 31 advant ocs

Preis: inquiry

MOQ: 1

Lieferzeit: today

Marke: ABB

MOORE AUTOMATION LIMITED
SGS Jahr gegründet:2011 Agent
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China Weißes rundes niedriges Aluminiumbrett der hohen Leistung LED PCBs für starke Transistoren 8kv zu verkaufen

Weißes rundes niedriges Aluminiumbrett der hohen Leistung LED PCBs für starke Transistoren 8kv

MCPCB LED-PWB

Preis: Negotiable

MOQ: Negotiable

Lieferzeit: Negotiable

Marke: WonDa

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