MOSFET-Kühlmos für den Ladestapel mit schneller Umschaltung
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Marke: Lingxun
Markieren:Cool Mos Super Junction MOSFET, Charging Pile Super Junction MOSFET, Fast Switching Super Junction MOSFET
MOSFET-Kühlmos für den Ladestapel mit schneller Umschaltung
Beschreibung des Produkts:
Das Super Junction MOSFET verfügt über ein hochdünnes Super Junction-Design, das eine viel geringere Rdson,A-Leistung für den Betriebswirkungsgrad ermöglicht.Dies bedeutet, dass das MOSFET in der Lage ist, mit e... Mehr sehen
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MOSFET zur Aufladung von Ladestellen
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Marke: Lingxun
Markieren:MOSFET mit niedrigem inneren Widerstand mit hoher Spannung, Hochspannungs-MOSFET-Ladestelle, Hochspannungs-MOSFET TO-220F
Hochspannungs-MOSFET mit extrem niedrigem inneren Widerstand für den Ladehaufen
Eigenschaften
• Niedrige Gebühren
• Niedriges RDS ((on) pro Chip-Fläche ((Low FOM)
• Sehr geringer Schalt- und Leitungsverlust
• Extrem hohe Kommutationsfestigkeit
Anwendungen
• Solarumrichter
• LCD/LED/PDP-Ferns... Mehr sehen
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Multifunktionales Niederspannungs-MOSFET zur synchronen Berichtigung
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Marke: Lingxun
Markieren:Multifunktionales Niederspannungs-MOSFET, MOSFET mit synchroner Berichtigung für Niederspannung, Synchrone Korrektur-Mosfetten mit geringer Leistung
Multifunktionales Niederspannungs-MOSFET für das Strommanagement
Eigenschaften
• Fortgeschrittene Gräbentechnik
• Ausgezeichnete RDS ((ON) und niedrige Gate Charge
Anwendungen
• Lastschalter
• Anwendung von PWM
• Energieverwaltung
Verpackung:
Einheitliche Datenbank
Packungsumriss Abmessun... Mehr sehen
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30Vgs Spannung Tor Quelle Spannung Hochleistungs-MOSFET für Gleichstrommotor
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Marke: Lingxun
Markieren:30 Vgs Hochleistungs-MOSFET, Gleichstrommotor Hochleistungs-MOSFET, Gleichstrommotor MOSFET Typ N
30Vgs Spannung Tor Quelle Spannung Hochleistungs-MOSFET für Gleichstrommotor
Anwendungen:
High Power MOSFET wird häufig in verschiedenen Anlässen und Szenarien eingesetzt, bei denen eine hohe Leistungsabwicklung, ein Hochfrequenz-Leistungsumrichter und ein Dual-Channel-MOSFET erforderlich sind.M... Mehr sehen
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Erweiterungsmodus Leistung N-Kanal IGBT 6A 650V für Staubsauger
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Marke: Lingxun
Markieren:N-Kanal IGBT 6A, N-Kanal IGBT 650V, Staubsauger N-Kanal IGBT
6A 650V N-Kanal-Erweiterungsmodus Leistung IGBT für Staubsauger
Hauptmerkmale
IC @TC=100°C
6A
VCE-Nummern
650 V
VCE (sat) -Typ
1.70V
Eigenschaften
• hohe Robustheit
• Sehr enge Parameterverteilung
• Positiver VCE-Temperaturkoeffizient
• Hohe Effizienz für die Motorsteuerung
• A... Mehr sehen
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Motorsteuerung durch Lochmontage IGBT Wechselrichter Schaltfrequenz 20KHz-60KHz
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Marke: Lingxun
Markieren:Durch Loch Montage IGBT-Wechselrichter, Motorsteuerung IGBT-Wechselrichter, IGBT-Wechselrichter 60 KHz
Motorsteuerung durch Lochmontage Inverter IGBT Schaltfrequenz
Beschreibung des Produkts:
Der Inverter IGBT ist perfekt für Hochfrequenzanwendungen mit einem Schaltfrequenzbereich von 20KHz-60KHz geeignet.Es ist für hohe Strombelastungen ausgelegt, so dass es perfekt für den Einsatz in Elektrofah... Mehr sehen
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100% Avalanche Testing Super Junction MOSFET für Stromversorgungen von Telekommunikationsservern
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Marke: Lingxun
Markieren:100% Avalanche Testing Super Junction MOSFET, Telecom Server Power Supplies MOSFET
100% Avalanche Testing Super Junction MOSFET für Stromversorgungen von Telekommunikationsservern
Beschreibung des Produkts:
Eine der herausragenden Eigenschaften des Lingxun Super Junction MOSFET ist seine neue, firmeneigene Super-Junction-Technologie, die eine überlegene Leistung in Hochspannungs... Mehr sehen
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Wärmestabilität Hochspannungs-MOSFET für die Batterieverwaltung
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Marke: Lingxun
Markieren:Wärmestabilität Hochspannungs-MOSFET, Hochspannungs-MOSFET für die Batterieverwaltung, Batterie hohe Vgs Mosfet
Wärmestabilität Hochspannungs-MOSFET für die Batterieverwaltung
Beschreibung des Produkts:
Unser Hochspannungs-MOSFET hat eine Tor-Quell-Spannung von ± 30 V, was es für eine Vielzahl von Hochspannungsanwendungen geeignet macht.Das bedeutet, dass es einen n-Kanal hat und Elektronen leiten kann..
Ein... Mehr sehen
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Multiscene Niederspannungs-N-Kanal-MOSFET für das Strommanagement
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Marke: Lingxun
Markieren:Niederspannungs-N-Kanal-MOSFET, MOSFET für das Strommanagement N-Kanal, Multiscene Niedrig Vgs N Kanal Mosfet
MOSFET-N-Kanal für das Strommanagement
Beschreibung des Produkts:
Einer der Hauptvorteile dieses Produkts ist seine hohe Schaltgeschwindigkeit, die maximale Leistung und Effizienz gewährleistet.Dies bedeutet, dass es bleifrei und umweltfreundlich ist..
Egal, ob Sie die Effizienz Ihrer Elektrower... Mehr sehen
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N-Kanal-Erweiterungsmodus MOSFET 11A 400V für Adapter und Ladegerät
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Marke: Lingxun
Markieren:Leistungsverbesserung MOSFET 11A, Leistung im Verstärkungsmodus MOSFET, Adapter N-Kanal MOSFET
N-Kanal-Erweiterungsmodus MOSFET 11A 400V für Adapter und Ladegerät
Hauptmerkmale
ID:11A
VDSS: 400 V
RDSON-typ (@VGS=10V):0.5Ω
Eigenschaften
Schnell wechseln
Niedriger Widerstand
Niedriges Gate-Charge
100% Einzelschlagenergieprüfung
Eigenschaften
• Schnelle Umstellung
• Niedriges ON-Wid... Mehr sehen
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Super Junction N Channel MOSFET 5A 650V 780mΩ für Solarumrichter
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Marke: Lingxun
Markieren:MOSFET für den N-Kanal-Superschnitt, N-Kanal MOSFET 5A, N-Kanal MOSFET 650V
5A 650V 780mΩ N-Kanal-MOSFET für Solarumrichter
MOSFET mit N-Kanal-Superverbindung
Teilnummer: LC65R900F
Paket: TO-220F
Hauptmerkmale
Ich...D5A
VDSS:650 V
RDSON-Typ VGS=10V:780mΩ
Eigenschaften
Niedrige RDS ((ON) & FOM
Sehr geringer Schaltverlust
Ausgezeichnete Stabilität und Gleich... Mehr sehen
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Effiziente Geschwindigkeitsregelung Hochleistungs-IGBT TO-247 für Blitzlichtgerät
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Marke: Lingxun
Markieren:Flash-Licht-Gerät-Leistung IGBT, Geschwindigkeitssteuerung Hochleistungs-IGBT, Blitzlicht TO-247 IGBT
Effiziente Geschwindigkeitsregelung Hochleistungs-IGBT für Blitzlichtgerät
Beschreibung des Produkts:
Mit einem Frequenzbereich von 20KHz-60KHz ist dieses IGBT perfekt für Hochleistungsanwendungen geeignet, die schnellere Schaltgeschwindigkeiten und niedrige VCE benötigen.die es ideal für den E... Mehr sehen
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TO-247 IGBT Leistung Halbleiterumrichter 650V-1200V
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Marke: Lingxun
Markieren:IGBT-Leistungshalbleiterumrichter, IGBT-Leistungshalbleiter 650 V, IGBT-Leistungsumrichter 1200 V
TO-247 Leistungshalbleiter-Inverter IGBT-Modul mit Leitverlusten
Beschreibung des Produkts:
Mit einer Nennspannung von 600 V ist dieses Gerät in der Lage, hohe Spannungsanforderungen mit Leichtigkeit zu bewältigen..
Der Inverter IGBT verfügt über eine Rückwärtswiederherstellungszeit von 50 ns, w... Mehr sehen
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Stabiler Hochspannungskühlmodul Mos TO-220F für die industrielle Automatisierung
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Markieren:Hochspannungskühlmos, Industrielle Mos TO-220F, Kühl Mos TO-220F
Stabiler Hochspannungs-MOSFET Kühlmos für industrielle Automatisierung
Beschreibung des Produkts:
Dieses MOSFET ist mit fortschrittlicher Technologie gebaut, die eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine hervorragende Leistung gewährleistet.mit einer Breite von mehr als 20 mm,.
Das Hochspannungs-MOS... Mehr sehen
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Praktische Low Power Mosfet Transistoren 20V 60V für drahtlose Ladevorrichtung
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Marke: Lingxun
Markieren:Transistoren mit geringer Leistung 20 V, Transistoren mit geringer Leistung, Wireless-Ladegeräte mit geringer Leistung
Praktische Low Power Mosfet Transistoren 20V 60V für drahtlose Ladevorrichtung
Eigenschaften:
Produktbezeichnung: Niederspannungs-MOSFET
Vorteile: Verbesserung der Systemleistung
Effizienz: Hoch effizient und zuverlässig
Widerstand: Niedriges Rds ((ON))
Material: Silizium
Stromverbrauch: geringer... Mehr sehen
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Multiscene Überspannungsschutz Super Junction MOSFET für LED-Treiber
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Markieren:Multiscene Superjunction Mosfet, LED-Treiber-Superschnitt Mosfet, MOSFET für Fahrer-Super-Schnittstellen
Multiscene Überspannungsschutz Super Junction MOSFET für LED-Treiber
Eigenschaften
• Niedrige Gebühren
• Niedriges RDS ((on) pro Chip-Bereich ((Low FOM)
• Sehr geringer Schalt- und Leitungsverlust
• Extrem hohe Kommutationsfestigkeit
Anwendungen
• Solarumrichter
• LCD/LED/PDP-Fernseher
• Str... Mehr sehen
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Schnelle Schaltgeschwindigkeit Leistung IGBT 650V-1200V für Netzinfrastruktur
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Marke: Lingxun
Markieren:Schnelle Schaltgeschwindigkeit Leistung IGBT, Stromversorgung der Netzinfrastruktur IGBT, 1200V Hochspannung IGBT
Schnellere Schaltgeschwindigkeit Leistung IGBT-Gerät für die NetzinfrastrukturBeschreibung des Produkts:Mit einer Nennspannung von 650-1200 V kann dieses Produkt auch die schwierigsten Aufgaben bewältigen.Die schnellere Schaltgeschwindigkeit macht es ideal für Anwendungen, die hohe Effizienz und sch... Mehr sehen
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Praktische elektronische industrielle IGBT-Umrichter mit schneller Schaltgeschwindigkeit
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Markieren:Elektronische industrielle IGBT, Elektronischer IGBT-Umrichter, Schnellschaltgeschwindigkeit IGBT-Wechselrichter
Praktische elektronische Industrieumrichter IGBTWith schnelle Schaltgeschwindigkeit
Haushaltsgeräte
• Hochgeschwindigkeitsschalter
• Lüfter, Pumpen, Staubsauger
• Allgemeiner Wechselrichter
Positiver Temperaturkoeffizient
• Schnelle Umstellung
• Niedriges VCE (sat)
• Zuverlässig und robust
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TO-247 Isolierter Bipolartransistor 650V-1200V für Stromversorgungseinheiten
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Markieren:TO 247 Isolierter Bipolartransistor, Isolierter Bipolartransistor mit Tor 650V, Isolierter Bipolartransistor mit Tor 1200 V
Leistung Schneller Schaltgeschwindigkeit Isolierter Gate Bipolar Transistor Für Stromversorgungseinheiten
Beschreibung des Produkts:
Dieses IGBT-Gerät ist für Anwendungsfrequenzbereiche von 20 kHz bis 60 kHz ausgelegt.Die schnellere Schaltgeschwindigkeit sorgt für ein effizientes Strommanagement... Mehr sehen
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Multiscene-Ulta-Hochspannungs-MOSFET für Motorantrieb und Ladestalle
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Markieren:Ulta-Hochspannungs-MOSFET, MOSFET für Hochspannung mit mehreren Szenen, MOSFET mit Motorantrieb
Multiscene-Ulta-Hochspannungs-MOSFET für Motorantrieb und Ladestalle
Beschreibung des Produkts:
Einer der wichtigsten Merkmale dieses MOSFET ist sein geringer Einschaltwiderstand, der dazu beiträgt, Stromverluste zu minimieren und die Effizienz bei Leistungsmotoranwendungen zu erhöhen.Es wurde zu 1... Mehr sehen
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