Halbleiter mit hoher Leistung
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Ausgezeichnete Gate Charge N Channel Super Junction MOSFET 4A650V
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Marke: Lingxun
Markieren:LCS65R900 Super Junction MOSFET, 4A650V Super Junction MOSFET
Ausgezeichnete Gate Charge N Channel Super Junction MOSFET 4A650V
Id:4A
Vdss: 650 V
Rdson-typ ((@Vgs=10V): 840mOhm
Eigenschaften:
• Hochdichte Super-Kreuzung
• Ausgezeichnete Gate Charge x RDS ((ON) Produkt ((FOM)
• Ultra-niedriges Widerstand
• Zuverlässig und robust
Anwendungen:
•SMPS
Q1.... Mehr sehen
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Leistungs-MOSFET mit hoher Temperaturbeständigkeit, geringer Leckage und geringer Knotenkapazität
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Marke: Lingxun
Markieren:Low Leakage Power MOSFET, High Temperature Resistance Power MOSFET, Low Junction Capacitance Power MOSFET
Beschreibung des Produkts:
Hohe Effizienz ist ein entscheidendes Merkmal für leistungsstarke elektronische Systeme, und unser Produkt ist so konzipiert, dass es sicherstellt, dass das System optimal funktioniert, mit minimalem Energieverlust,Dies führt zu geringeren EnergiekostenDer hohe Wirkungsg... Mehr sehen
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Niedrige Leckage Niedrige Knotenkapazität Hohe Temperatur Widerstand Spannung N-Kanal Leistung Halbleiter
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Marke: Lingxun
Markieren:Low Junction Capacitance Power Semiconductor, High Temperature Resistance Power Semiconductor, Low Leakage Power Semiconductor
Beschreibung des Produkts:
Unsere Hochspannungs-Leistungshalbleiter zeichnen sich durch hohes Licht, schnelle Schaltmöglichkeiten und robustes thermisches Management aus.Sie sind daher ideal für den Einsatz in anspruchsvollen Umgebungen geeignet, die eine hohte Temperaturbeständigkeit erfordern..M... Mehr sehen
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Niedrige Verbindungskapazität Spannung IGBT für Temperaturen mit geringer Leckage
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Marke: Lingxun
Markieren:Temperature Voltage IGBT, Low Leakage Voltage IGBT, Low Junction Capacitance Voltage IGBT
Beschreibung des Produkts:Der Hochleistungs-Halbleiter ist besonders nützlich bei Ladeanwendungen für Elektrofahrzeuge, bei denen eine Hochspannungs-IGBT für eine effiziente Energieübertragung erforderlich ist.Mit seiner hohen Effizienz, der Hochleistungs-Halbleiter ist ideal für Ladeanwendungen gee... Mehr sehen
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N-Kanal Halbleiter mit niedriger Knotenkapazität
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Marke: Lingxun
Markieren:Low Junction Capacitance Semiconductor
Beschreibung des Produkts:
Einer der wichtigsten Vorteile von Hochspannungs-Leistungshalbleitern ist ihre Fähigkeit, hohe Spannungen und Ströme effizient zu handhaben.Elektrogeräte, Luftreiniger und andere Anwendungen, für die hochspannungsfreie Geräte erforderlich sind.Diese Geräte können Spannun... Mehr sehen
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Hochtemperaturbeständigkeit, geringe Leckage, N-Typ MOSFET mit geringer Knotenkapazität für eine höhere Energieeffizienz
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Marke: Lingxun
Markieren:High Temperature Resistance MOSFETs, Advanced Energy Efficient MOSFETs, Low Leakage MOSFETs
Beschreibung des Produkts:
Eine der Hauptmerkmale von Hochspannungs-Leistungshalbleitern ist ihre Fähigkeit, hohe Spannungen und Ströme effizient zu handhaben.Dies macht sie zu wesentlichen Komponenten in Stromerzeugungs- und Verteilernetzwerken., wo sie zur Verbesserung der Energieeffizienz und z... Mehr sehen
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Mehrfachanwendungen Hochleistungshalbleitern N-Kanal
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Marke: Lingxun
Markieren:High Power Semiconductor N Channel, High Power N Channel, N Channel High Power Semiconductor
Mehrfachanwendungen Hochleistungshalbleitern N-Kanal
Eigenschaften
• Niedrige Gebühren
• Niedriges RDS ((on) pro Chip-Fläche ((Low FOM)
• Sehr geringer Schalt- und Leitungsverlust
• Extrem hohe Kommutationsfestigkeit
Anwendungen
• Solarumrichter
• LCD/LED/PDP-Fernseher
• Stromversorgung... Mehr sehen
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11A 650V 340mΩ TO-252 Hochleistungs-MOSFET für Schaltladegerät
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Marke: Lingxun
Markieren:TO-252 Hochleistungs-MOSFET, Hochleistungs-MOSFET-Schalter für Ladegeräte, 650 V Hochleistungs-MOSFET
11A 650V 340mΩ TO-252 Hochleistungs-MOSFET für Schaltladegerät
MOSFET mit N-Kanal-Superverbindung
Teilnummer: LC65R380D
Paket: TO-252
Hauptmerkmale
Ich...DIch habe eine Frage.
VDSS:650 V
Die Leistung wird durch die Verringerung der Leistung des Geräts und der Verringerung der Leistung des G... Mehr sehen
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TO-220F Metalloxid Halbleiterfeldwirkungstransistoren 15A 600V 274mΩ
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Marke: Lingxun
Markieren:Metalloxid-Halbleiterfeldwirkungstransistoren, TO-220F Halbleiter aus Metalloxid, Transistoren mit Feldwirkung 15A
15A 600V 274mΩ TO-220F Metall-Oxid-Halbleiterfeldwirkungstransistoren
MOSFET mit N-Kanal-Superverbindung
Teilnummer: LC60R280F
Paket: TO-220F
Hauptmerkmale
Ich...DSiehe auch:
VDSS:600 V
RDSON-Typ VGS=10V:274mΩ
Eigenschaften
• Niedrige Gebühren
• Niedriges RDS ((on) pro Chip-Bereich ... Mehr sehen
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Hochspannungs-Hochleistungs-Halbleiter des Typs N mit geringer Leckage
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Marke: Lingxun
Markieren:N-Typ Hochleistungs-Halbleiter, Halbleiter mit geringer Leckage, N-Typ Hochspannungs-Halbleiter
Beschreibung des Produkts:
Temperaturwiderstand Spannung Niedrigverbindung Kapazität Niedrigleckage N Leistung Halbleiter
Mit geringer Leckage und geringer Verbindungskapazität ist dieser Halbleiter des N-Typs für Hochspannungsanwendungen optimiert.Seine Fähigkeit, hohe Spannungen und Ströme zu bew... Mehr sehen
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Halbleiter mit niedrigem Schaltvorgang mit hoher Leistung 15A 650V 238mΩ für Gleichspannungskonverter
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Marke: Lingxun
Markieren:Halbleiter mit niedrigem Schaltvorgang, Halbleiter mit hoher Leistung 15A, Halbleiter mit hoher Leistung 650 V
15A 650V 238mΩ Halbleiter mit niedrigem Schaltvorgang und hoher Leistung für Gleichspannungskonverter
MOSFET mit N-Kanal-Superverbindung
Teilnummer: LC65R280D
Paket: TO-252
Hauptmerkmale
Ich...DSiehe auch:
VDSS:650 V
RDSON-Typ VGS=10V:238mΩ
Eigenschaften
• Niedrige Gebühren
• Niedr... Mehr sehen
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19A 600V 160mΩ Hochleistungs-Halbleiter für industrielle Stromversorgungen
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Marke: Lingxun
Markieren:600 V Hochleistungs-Halbleiter, 19A Halbleiter mit hoher Leistung, 160mΩ Halbleiter mit hoher Leistung
19A 600V 160mΩ Reduzierte Schaltvorrichtung Hochleistungs-Halbleiter für industrielle Stromversorgungen
MOSFET mit N-Kanal-Superverbindung
Teilnummer: LC60R190D
Paket: TO-220F
Hauptmerkmale
Ich...D19A
VDSS:600 V
RDSON-Typ VGS=10V:160mΩ
Eigenschaften
• Reduzierte Schalt- und Leitun... Mehr sehen
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20A 650V 150mΩ Kühl-MOS für Schaltmodus-Stromversorgungen
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Marke: Lingxun
Markieren:20A Kühle MOS, Ausgeschaltete Stromversorgung, 650V Hochspannungs-MOS
20A 650V 150mΩ Stabilität und Einheitlichkeit Kühl-MOS für Schaltmodus-Stromversorgungen
MOSFET mit N-Kanal-Superverbindung
Teilnummer: LC65R190F
Paket: TO-220F
Hauptmerkmale
Ich...D:20A
VDSS:650 V
RDSON-Typ VGS=10V:150mΩ
Eigenschaften
• Niedriges RDS (an) und FM
• Sehr geringer ... Mehr sehen
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TO-252 Oberflächenmontage Hochleistungs-Halbleiter 5A 500V 1.33Ω für Haartrockner
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Marke: Lingxun
Markieren:Oberflächenmontage Hochleistungs-Halbleiter, TO-252 Halbleiter mit hoher Leistung, 500 V Hochleistungs-Halbleiter
5A 500V 1.33Ω TO-252 Oberflächenmontage Hochleistungs-Halbleiter für Haartrockner
N-Kanal-Erweiterungsmodus Leistungs-MOSFET
Teilnummer: CS5N50A5
Paket: TO-252
Hauptmerkmale
Ich...D5A
VDSS:500 V
RDSON-Typ VGS=10V: 1,33Ω
Eigenschaften
• Schnelle Umstellung
• Niedriges ON-Widerstand... Mehr sehen
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MOSFET mit niedrigem Leckage N-Kanal mit hoher Leistung TO-220F TO-263C TO-247AC
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Marke: Lingxun
Markieren:N-Kanal Hochleistung MOS, Hochleistungs-MOSFET TO-247AC, TO-263C Hochleistungs-MOSFET
Beschreibung des Produkts:
Niedrigspannungs-Leckage-Leistung MOSFET
Der Halbleiter mit hoher Leistung des Typs N ist eine Halbleiterart mit geringer Leckage und hoher Temperaturbeständigkeit.Die Fähigkeit, hohen Temperaturen standzuhalten, macht sie für den Einsatz in rauen Umgebungen geeignetDas G... Mehr sehen
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IGBT mit niedrigem Leckage N-Kanal für industrielle Anwendungen mit hoher Leistung
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Marke: Lingxun
Markieren:N Hochleistungs-IGBT, Industrielle Hochleistungs-IGBT, Industrielle N-Kanal-IGBT
Beschreibung des Produkts:
Niedrigleckspannung IGBT für industrielle Anwendungen
Hochstspannungs-IGBT, Hochstspannungs-Kühlvorrichtungen und Hochspannungs-diskrete Geräte sind einige der wichtigsten Eigenschaften dieses Produkts.mit schnellen Schaltfunktionen und robustem thermischem Management, ma... Mehr sehen
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N-Kanal-Hochleistungs-Halbleiter mit geringer Leckage und geringer Knotenkapazität
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Markieren:N-Kanal-Hochleistungs-Halbleiter, Halbleiter mit geringer Leckage, Halbleiter mit geringer Knotenkapazität
Beschreibung des Produkts:N-Kanal Spannung Niedrigleckage Niedrige Verbindungskapazität Hochtemperaturwiderstand Leistung HalbleiterUnser Hochleistungs-Halbleiterprodukt ist Typ N, bekannt für seine Robustheit und Langlebigkeit.Es kann dazu beitragen, Stromverluste zu reduzieren und die Gesamtleistu... Mehr sehen
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Hochspannung, Niedrigleckage, Kühlmos-Halbleiter zum Aufladen
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Marke: Lingxun
Markieren:Cool Mos Halbleiter, Niedrigleckage Kühlmos, Aufladen von Cool Mos
Beschreibung des Produkts:
Niedrigspannung Leckage Kühl Mos Der Halbleiter für Stromanwendungen
Dieses spezielle Produkt ist ein Halbleiter des Typs N mit geringer Verbindungskapazität, was es ideal für Hochspannungsanwendungen macht.Seine hohe Effizienz sorgt dafür, dass er große Strommengen verar... Mehr sehen
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Hochleistung Niedrigleckage N-Kanal IGBT Hochtemperaturbeständig
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Marke: Lingxun
Markieren:Niedrigleckage-N-Kanal-IGBT, Hochtemperaturbeständige N-Kanal-IGBT, N-Typ Hochleistungs-IGBT
Beschreibung des Produkts:
Leistung Hochtemperaturbeständig Niedrigleckage N-Kanal IGBT
Unsere Hochspannungs-Leistungshalbleiter sind in der Lage, hohe Spannungen und Ströme effizient zu handhaben, was sie ideal für verschiedene Branchen wie Stromerzeugung, Verteilung, Transport,und Unterhaltungsel... Mehr sehen
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TO-247 N-Kanal Hochleistungs-Halbleiter zum Laden
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Marke: Lingxun
Markieren:TO-247 Halbleiter mit hoher Leistung, Hochleistungs Halbleiter, N-Kanal-Leistungshalbleiter
Beschreibung des Produkts:N-Typ Hochtemperaturwiderstand Niedrigleckage Niedrige Verbindungskapazität Leistung HalbleiterDieser Halbleiter ist mit einer geringen Verbindungskapazität ausgelegt und eignet sich für Hochfrequenzanwendungen, bei denen schnelle Schaltgeschwindigkeiten erforderlich sind.V... Mehr sehen
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