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GaN Epitaxial Wafer

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China 4 Zoll P-Typ Mg-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand ~10 Ω cm LED-Laser-PIN-Epitaxie-Wafer zu verkaufen

4 Zoll P-Typ Mg-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand ~10 Ω cm LED-Laser-PIN-Epitaxie-Wafer

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:LED Laser PIN Epitaxial Wafer
4 Zoll Mg-dotiertes GaN vom P-Typ auf Saphirwafer SSP-Widerstand ~10 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxiewafer   Die elektrischen Eigenschaften von p-Typ Mg-dotiertem GaN werden durch temperaturvariable Hall-Effekt-Messungen untersucht.Proben mit einer Reihe von Mg-Dotierungskonzentrationen wurden durch ... Mehr sehen
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China F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte zu verkaufen

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates
2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... Mehr sehen
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China 625um flachen dem Saphir zu des Zoll-675um 4 blauen LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP zu verkaufen

625um flachen dem Saphir zu des Zoll-675um 4 blauen LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:625um GaN Epitaxial Wafer, SSP gan on sapphire wafers, 675um GaN Epitaxial Wafer
Substrate Thickness 650 ± 25 μm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire 4 inch Blue LED GaN epitaxial wafer on sapphire SSP For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitiv... Mehr sehen
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China Grün-GEFÜHRTE GaN On Silicon Wafer 20nmContact Schicht des Maß-520±10nm 2inch zu verkaufen

Grün-GEFÜHRTE GaN On Silicon Wafer 20nmContact Schicht des Maß-520±10nm 2inch

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:20nm GaN On Silicon Wafer, 520±10nm GaN On Silicon Wafer
2inch Grün-GEFÜHRTES GaN auf Siliziumscheibe Überblick Galliumnitrid (GaN) schafft eine innovative Verschiebung während der Leistungselektronikwelt. Für Jahrzehnte sind Silikon-ansässige MOSFETs (Metalloxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistoren) ein wesentlicher Bestandteil der täglichen modern... Mehr sehen
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China 2inch Blau-GEFÜHRTER GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde Laser 455±10nm zu verkaufen

2inch Blau-GEFÜHRTER GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde Laser 455±10nm

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:455±10nm GaN On Silicon Wafer
2inch Blau-GEFÜHRTES GaN auf Siliziumscheibe Gallium-Nitrid ist eine Halbleitertechnik, die für hohe Leistung, Hochfrequenzhalbleiteranwendungen eingesetzt wird. Gallium-Nitrid weist einige Eigenschaften auf, die es besser als GaAs und Silikon für verschiedene Komponenten der hohen Leistung... Mehr sehen
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China 2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte zu verkaufen

2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: Nanowin
Markieren:2inch GaN Single Crystal Substrate, Resistivity GaN Single Crystal Substrate
2 Zoll C-Fläche Fe-dotiertes freistehendes GaN-Einkristallsubstrat vom SI-Typ Widerstand > 106Ω·cm HF-Geräte   Überblick Galliumnitrid (GaN)-Epitaxialwafer (Epi-Wafer).GaN-Transistoren mit hoher Elektronenmobilität (HEMT) auf verschiedenen Substraten wie Siliziumsubstrat, Saphirsubstrat, Silizi... Mehr sehen
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China 4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer zu verkaufen

4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:LED Laser GaN Epitaxial Wafer
4 Zoll P-artiges MG-lackiertes GaN auf Saphirwafer SSP resistivity~10Ω cm LED, Laser, Epitaxial- Wafer PIN Warum verwenden Sie GaN Wafers? Gallium-Nitrid auf Saphir ist das ideale Material für HF-Energien-Verstärkung. Es bietet einigen Nutzen über Silikon, einschließlich eine höhere Durchb... Mehr sehen
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China 4-Zoll-N-Typ-UID-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand＞0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxie-Wafer zu verkaufen

4-Zoll-N-Typ-UID-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand＞0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxie-Wafer

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:PIN GaN On Sapphire Wafer, 4 Inch GaN On Sapphire Wafer
4 Zoll UID-dotiertes GaN vom N-Typ auf Saphirwafer SSP-Widerstand > 0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxiewafer   Beispielsweise ist GaN das Substrat, das violette (405 nm) Laserdioden ermöglicht, ohne Verwendung einer nichtlinearen optischen Frequenzverdopplung.Seine Empfindlichkeit gegenüber ionis... Mehr sehen
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China µm ±25 TTV 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 ≤ 10 µm zu verkaufen

µm ±25 TTV 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate Thickness 350 ≤ 10 µm

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate
C-Gesicht 10*10.5mm2 Si-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0=""> ÜberblickSubstrat des Gallium-Nitrids (GaN) ist ein hochwertiges Einzelkristallsubstrat. Es wird mit ursprünglicher HVPE-Methode und Verfahrenstechnik der Oblate gemacht, die u... Mehr sehen
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China Dicke 350 ±25 µm 10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate zu verkaufen

Dicke 350 ±25 µm 10 x 10,5 mm2 freistehende GaN-Substrate

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:350 ±25 µm GaN Substrates, 10 X 10.5 mm2 GaN Substrates
10*10,5 mm² C-Fläche Undotiertes, freistehendes GaN-Einkristallsubstrat vom n-Typ Widerstand < 0,1 Ω·cm Leistungsgerät/Laser   Überblick GaN-Substrate GaN (Galliumnitrid) Substrate und Wafer mit hoher Qualität (geringe Versetzungsdichte) und besten Preisen auf dem Markt. Freistehende GaN-Kr... Mehr sehen
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China Fläche 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse 0,35 ±0.15° zu verkaufen

Fläche 10*10.5mm2 GaN Single Crystal Substrate C (0001) weg vom Winkel in Richtung zur M-Achse 0,35 ±0.15°

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:0.35 ±0.15° GaN Single Crystal Substrate
10*10.5mm ² C-Gesicht UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0=""> ÜberblickDie Eigenschaften sind hohe kristallene, gute Einheitlichkeit und überlegene Oberflächenbeschaffenheit. GaN-Substrate werden für LD-Anwendungen benutzt (violett, bla... Mehr sehen
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China Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate zu verkaufen

Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät-Oblate

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:5*10mm2 GaN Single Crystal Substrate
Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte Si-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft > 106 Ω·cm Rf-Gerätoblate ÜberblickDünne Epi-Oblaten sind für Vorderkante MOS-Geräte allgemein verwendet. Starkes Epi oder vielschichtige Epitaxial- Oblaten werden für die Geräte hauptsäc... Mehr sehen
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China SP-Gesicht 5*10mm2 (11-12) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät zu verkaufen

SP-Gesicht 5*10mm2 (11-12) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:10⁶Ω·Cm GaN Single Crystal Substrate, 10mm2 GaN Single Crystal Substrate
SP-Gesicht 5*10mm2 (11-12) UNO-lackierte Si-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft > 106 Ω·cm Rf-Gerätoblate Überblick Der GaN-Halbleiterbauelementmarkt umfasst Schlüsselfirmen wie Cree, Infineon Technologies, Qorvo, MACOM-, NXP-Halbleiter, Mitsubishi Electric, ... Mehr sehen
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China Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser zu verkaufen

Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:5*10mm2 GaN single crystal substrate
Ein-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0=""> Überblick Energiedichte wird erheblich in den Galliumnitridgeräten verbessert, die mit Silikon eine verglichen werden, weil GaN die Kapazität hat, viel höhere Schaltfrequenzen... Mehr sehen
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China SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät zu verkaufen

SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Gerät

Preis: Negotiable
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Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:10⁶ Ω·Cm GaN Single Crystal Substrate
SP-Gesicht 5*10mm2 (10-11) UNO-lackierte Si-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft > 106 Ω·cm Rf-Gerätoblate Jetzt hat ein neues Material, das Gallium Nitride (GaN) genannt wird das Potenzial, Silikon als das Herz von elektronischen Chips zu ersetzen. Gallium-... Mehr sehen
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China M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser zu verkaufen

M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte N-artigen freistehenden GaN Single Crystal Substrate Resistivity < 0,05 Ω·cm-Starkstromgerät/Laser

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:Laser GaN Single Crystal Substrate
M-Gesicht 5*10mm2 UNO-lackierte n-artige freistehende einzelne Kristallsubstrat GaN Widerstandskraft < 0=""> ÜberblickDiese GaN-Oblaten verwirklichen beispiellose ultra-helle Laserdioden und Hochleistungsfähigkeits-Starkstromgeräte für Gebrauch in den ProjektorLichtquellen, in den Inver... Mehr sehen
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China AlGaN-Pufferdicke 600 nm 2-Zoll-Blue-LED-GaN auf Siliziumwafer zu verkaufen

AlGaN-Pufferdicke 600 nm 2-Zoll-Blue-LED-GaN auf Siliziumwafer

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:600nm GaN On Silicon Wafer, 2inch GaN On Silicon Wafer
2-Zoll-Blue-LED-GaN auf Siliziumwafer   Es gibt drei Hauptsubstrate, die mit GaN verwendet werden – Siliziumkarbid (SiC), Silizium (Si) und Diamant.GaN auf SiC ist das gebräuchlichste der drei und wurde in verschiedenen Anwendungen im Militär und für drahtlose Infrastrukturanwendungen mit hoher Le... Mehr sehen
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China GaN-Substrate Oberflächenrauigkeit der Ga-Fläche < 0,2 nm (poliert) oder < 0,3 nm (poliert und Oberflächenbehandlung für Epitaxie) zu verkaufen

GaN-Substrate Oberflächenrauigkeit der Ga-Fläche < 0,2 nm (poliert) oder < 0,3 nm (poliert und Oberflächenbehandlung für Epitaxie)

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:Surface Treatment GaN Substrates, Epitaxy GaN Substrates, Polished GaN Substrates
10*10,5 mm² C-Fläche Undotiertes, freistehendes GaN-Einkristallsubstrat vom n-Typ Widerstand < 0,1 Ω·cm Leistungsgerät/Laser   ÜberblickWir bieten hochwertige GaN-Substrate, die mit dem ursprünglich entwickelten HVPE-Verfahren (Hydride Vapor Phase Epitaxy) hergestellt werden und dabei auf mehr... Mehr sehen
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China 4 Zoll N-artiger Si-lackierter GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, Laser, PIN Epitaxial Wafer zu verkaufen

4 Zoll N-artiger Si-lackierter GaN On Sapphire Wafer SSP Resistivity<0.05 Ω cm LED, Laser, PIN Epitaxial Wafer

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:Sapphire GaN Epitaxial Wafer, PIN GaN Epitaxial Wafer, 4 Inch GaN Epitaxial Wafer
4 Zoll N-artiges Si-lackiertes GaN auf Saphirwafer SSP resistivity<0.05 Ω cm LED, Laser, Epitaxial- Wafer PIN Für leicht Si-lackiertes GaN ([Si]   =   waren 2,1   ×    1016 cm −3), die Elektronenbeweglichkeit der Raumtemperatur (Funktelegrafie) als   cm2 1008   V −1   s −1 so hoch, das domin... Mehr sehen
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China GaN 2 Zoll Galliumnitrid Einzelkristall Substrat zu verkaufen

GaN 2 Zoll Galliumnitrid Einzelkristall Substrat

Preis: Negotiable
MOQ: 1
Lieferzeit: Negotiable
Marke: Ganova
Markieren:GaN Gallium Nitride Single Crystal Substrate, 2inch Gallium Nitride Single Crystal Substrate
Un-Doped Freestanding GaN Substrate 1, Overview of Gallium Nitride Single Crystal Substrate(GaN substrate) Gallium nitride single crystal substrate (GaN substrate)is an important component required in the preparation process of gallium nitride (GaN) crystals, and it is the substrate on which gallium... Mehr sehen
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