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China RTP-SA-8 Aufheizungssystem für schnelle thermische Verarbeitung zu verkaufen

RTP-SA-8 Aufheizungssystem für schnelle thermische Verarbeitung

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3 month
Marke: Ganova
Markieren:Boost Production Rapid Thermal Processing, Rapid Thermal Processing Annealing System
1.Basic configuration of equipment system 1.1outline The Rapid Thermal Processing is a vertical semi-automatic 8-inch wafer rapid annealing furnace, which uses two layers of infrared halogen lamps as heat sources for heating. The internal quartz cavity is insulated and insulated, and the outer shell... Mehr sehen
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China 150mm schnelles thermisches Vergütungssystem mit drei Satz-Prozessgasen zu verkaufen

150mm schnelles thermisches Vergütungssystem mit drei Satz-Prozessgasen

Preis: Negotiable
MOQ: 1
Lieferzeit: 8-10week days
Marke: GaNova
Markieren:150mm Rapid Thermal Annealing System, desktop rapid thermal processing equipment, Wafer Rapid Thermal Annealing System
RTP-150RL Rapid Thermal Annealing System with Three Sets Process Gases RTP-150RL: Is in the protection atmosphere of the desktop manual rapid annealing system, with infrared visible light heating single piece Wafer or sample, short process time, high temperature control precision, suitable for 2-6 i... Mehr sehen
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China JDCD05-001-003 10*10mm2*0.3mm elektronischer Grad einzelner Crystal Diamond, N Content<100ppb, Wärmeleitfähigkeit XRD<0.015º zu verkaufen

JDCD05-001-003 10*10mm2*0.3mm elektronischer Grad einzelner Crystal Diamond, N Content<100ppb, Wärmeleitfähigkeit XRD<0.015º

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:Electronic Grade Single Crystal Diamond, 10*10mm2*0.3mm Single Crystal Diamond
10*10mm2*0.3mm einzelner Kristalldiamant elektronischen Grades, Stickstoffgehalt<100ppb> ÜberblickEinzel-Kristalldiamantoblaten ermöglichen kritischen Fortschritten in beiden die Rf-Energietechnologie, die für Kommunikationen 5G und Satelliten eingesetzt wird; sowie in der Leistungselektr... Mehr sehen
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China JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mm elektronischer Grad einzelner Crystal Diamond, N Content<100ppb, Wärmeleitfähigkeit XRD<0.015º zu verkaufen

JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mm elektronischer Grad einzelner Crystal Diamond, N Content<100ppb, Wärmeleitfähigkeit XRD<0.015º

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:10*10mm2*0.5mm Single Crystal Diamond
JDCD05-001-006 10*10mm2*0.5mm einzelner Kristalldiamant elektronischen Grades, Stickstoffgehalt<100ppb> Überblick Cvd-Diamant ist lang als das entscheidende Material in einer großen Vielfalt von den Anwendungen wegen seiner extremen Qualitäten erkannt worden. Für Diamant CVD spielt ... Mehr sehen
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China 4 Zoll P-Typ Mg-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand ~10 Ω cm LED-Laser-PIN-Epitaxie-Wafer zu verkaufen

4 Zoll P-Typ Mg-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand ~10 Ω cm LED-Laser-PIN-Epitaxie-Wafer

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:LED Laser PIN Epitaxial Wafer
4 Zoll Mg-dotiertes GaN vom P-Typ auf Saphirwafer SSP-Widerstand ~10 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxiewafer   Die elektrischen Eigenschaften von p-Typ Mg-dotiertem GaN werden durch temperaturvariable Hall-Effekt-Messungen untersucht.Proben mit einer Reihe von Mg-Dotierungskonzentrationen wurden durch ... Mehr sehen
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China JDCD05-001-005 5 * 5 mm2 * 0,5 mm Einkristall-Diamant in elektronischer Qualität, N-Gehalt < 100 ppb, XRD < 0,015º Wärmeleitfähigkeit zu verkaufen

JDCD05-001-005 5 * 5 mm2 * 0,5 mm Einkristall-Diamant in elektronischer Qualität, N-Gehalt < 100 ppb, XRD < 0,015º Wärmeleitfähigkeit

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:XRD<0.015º Single Crystal Diamond
JDCD05-001-005 5 * 5 mm2 * 0,5 mm Einkristalldiamant in elektronischer Qualität, N-Gehalt < 100 ppb, XRD < 0,015 ° Wärmeleitfähigkeit 1000-2200 für Kühlkörper   Überblick Die hohe Wärmeleitfähigkeit von Diamant hat ihn für Wärmemanagementanwendungen nützlich gemacht.Sein breiter optischer Ü... Mehr sehen
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China F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte zu verkaufen

F.E. lackierte GaN Substrates Resistivity > 10 ⁶ Ω·Cm Rf-Geräte

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:ISO GaN Substrates, gan semiconductor wafer, Fe Doped GaN Substrates
2inch C-face Fe-doped SI-type free-standing GaN single crystal substrate Resistivity > 106 Ω·cm RF devices The achieved breakdown voltage of the Fe-doped GaN epitaxial layer can be as high as 2457 V, which is attributed to the Fe-doped GaN epitaxial layer with higher resistance, which can sustain... Mehr sehen
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China 625um flachen dem Saphir zu des Zoll-675um 4 blauen LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP zu verkaufen

625um flachen dem Saphir zu des Zoll-675um 4 blauen LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:625um GaN Epitaxial Wafer, SSP gan on sapphire wafers, 675um GaN Epitaxial Wafer
Substrate Thickness 650 ± 25 μm 4 Inch Blue LED GaN Epitaxial Wafer On Sapphire SSP Flat Sapphire 4 inch Blue LED GaN epitaxial wafer on sapphire SSP For example, GaN is the substrate which makes violet (405 nm) laser diodes possible, without use of nonlinear optical frequency-doubling. Its sensitiv... Mehr sehen
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China JDCD08-001-006 6inch C-Fläche Sapphire Substrate Wafer zu verkaufen

JDCD08-001-006 6inch C-Fläche Sapphire Substrate Wafer

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: Negotiable
Markieren:6inch Sapphire Substrate Wafer
JDCD08-001-006 6inch C-Fläche Sapphire Substrate Wafer Saphire sind an zweiter Stelle nur zu den Diamanten in der HaltbarkeitDiamant ist das dauerhafteste natürlich vorkommende Element auf Erde und Rängen als 10 aus 10 auf Mohs-Skala von Mineralhärte heraus. Saphire sind auch als 9 aus 10 auf M... Mehr sehen
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China JDCD05-001-007 CVD-Diamantsubstrate zu verkaufen

JDCD05-001-007 CVD-Diamantsubstrate

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:CVD Diamond Substrates, CVD Diamond Substrates 007
JDCD05-001-007 CVD Diamond Substrates Überblick Diamant ist ein einzigartiges Material, das häufig die extremen Eigenschaften aufweist, die mit anderen Materialien verglichen werden. Vor entdeckt ungefähr 30 Jahren, hat der Gebrauch des Wasserstoffs in Plasma-erhöhtem chemischem Bedampfen (CVD... Mehr sehen
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China Grün-GEFÜHRTE GaN On Silicon Wafer 20nmContact Schicht des Maß-520±10nm 2inch zu verkaufen

Grün-GEFÜHRTE GaN On Silicon Wafer 20nmContact Schicht des Maß-520±10nm 2inch

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:20nm GaN On Silicon Wafer, 520±10nm GaN On Silicon Wafer
2inch Grün-GEFÜHRTES GaN auf Siliziumscheibe Überblick Galliumnitrid (GaN) schafft eine innovative Verschiebung während der Leistungselektronikwelt. Für Jahrzehnte sind Silikon-ansässige MOSFETs (Metalloxid-Halbleiter-Feld-Effekt-Transistoren) ein wesentlicher Bestandteil der täglichen modern... Mehr sehen
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China 2inch Blau-GEFÜHRTER GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde Laser 455±10nm zu verkaufen

2inch Blau-GEFÜHRTER GaN On Silicon Wafer Longueur D'Onde Laser 455±10nm

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:455±10nm GaN On Silicon Wafer
2inch Blau-GEFÜHRTES GaN auf Siliziumscheibe Gallium-Nitrid ist eine Halbleitertechnik, die für hohe Leistung, Hochfrequenzhalbleiteranwendungen eingesetzt wird. Gallium-Nitrid weist einige Eigenschaften auf, die es besser als GaAs und Silikon für verschiedene Komponenten der hohen Leistung... Mehr sehen
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China JDCD06-001-002 3-Zoll-Siliziumwafer-MEMS-Bauelemente, integrierte Schaltkreise, dedizierte Substrate für diskrete Bauelemente zu verkaufen

JDCD06-001-002 3-Zoll-Siliziumwafer-MEMS-Bauelemente, integrierte Schaltkreise, dedizierte Substrate für diskrete Bauelemente

Preis: Negotiable
MOQ: 1
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:Integrated Circuits Silicon Wafer, Discrete Devices Silicon Wafer
3-Zoll-Siliziumwafer-MEMS-Geräte, integrierte Schaltkreise, dedizierte Substrate für diskrete Geräte   ÜberblickSiliziumwafer dienen als Substrat für mikroelektronische Geräte und sind aufgrund ihrer Leitfähigkeit und Erschwinglichkeit besonders nützlich beim Bau elektronischer Schaltungen.Silizi... Mehr sehen
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China JDCD06-001-003 4 Zoll Geräte der Siliziumscheibe-MEMS, integrierte Schaltungen, engagierte Substrate für getrennte Geräte zu verkaufen

JDCD06-001-003 4 Zoll Geräte der Siliziumscheibe-MEMS, integrierte Schaltungen, engagierte Substrate für getrennte Geräte

Preis: Negotiable
MOQ: 1
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:MEMS Devices Silicon Wafer
4 Zoll Geräte der Siliziumscheibe MEMS, integrierte Schaltungen, engagierte Substrate für getrennte Geräte Eine Siliziumscheibe ist ein Material, das für Herstellungshalbleiter wesentlich ist, die in allen Arten elektronische Geräte gefunden werden, die unsere Leben anreichern. Wenige von uns... Mehr sehen
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China 2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte zu verkaufen

2 Zoll C-Face Fe-dotierter SI-Typ freistehender GaN-Einkristall-Substratwiderstand > 10⁶ Ω·cm HF-Geräte

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: Nanowin
Markieren:2inch GaN Single Crystal Substrate, Resistivity GaN Single Crystal Substrate
2 Zoll C-Fläche Fe-dotiertes freistehendes GaN-Einkristallsubstrat vom SI-Typ Widerstand > 106Ω·cm HF-Geräte   Überblick Galliumnitrid (GaN)-Epitaxialwafer (Epi-Wafer).GaN-Transistoren mit hoher Elektronenmobilität (HEMT) auf verschiedenen Substraten wie Siliziumsubstrat, Saphirsubstrat, Silizi... Mehr sehen
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China 4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer zu verkaufen

4 Zoll MG-lackierter GaN/Sapphire Substrates SSP Resistivity~10Ω cm LED Laser PIN Epitaxial Wafer

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:LED Laser GaN Epitaxial Wafer
4 Zoll P-artiges MG-lackiertes GaN auf Saphirwafer SSP resistivity~10Ω cm LED, Laser, Epitaxial- Wafer PIN Warum verwenden Sie GaN Wafers? Gallium-Nitrid auf Saphir ist das ideale Material für HF-Energien-Verstärkung. Es bietet einigen Nutzen über Silikon, einschließlich eine höhere Durchb... Mehr sehen
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China JDCD08-001-007 8-Zoll-C-Plane-Saphir-Substratwafer zu verkaufen

JDCD08-001-007 8-Zoll-C-Plane-Saphir-Substratwafer

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: Negotiable
Markieren:8inch Sapphire Substrate Wafer
JDCD08-001-007 6-Zoll-C-Plane-Saphir-Substratwafer Rubine und Saphire bestehen beide aus Korund (Aluminiumoxid - Al2O3).Korund ist nach Diamant einer der härtesten bekannten Naturstoffe.Da Korund zudem so hart und witterungsbeständig ist, findet man ihn auch in Sedimentablagerungen und Sedimentgeste... Mehr sehen
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China 4-Zoll-N-Typ-UID-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand＞0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxie-Wafer zu verkaufen

4-Zoll-N-Typ-UID-dotiertes GaN auf Saphir-Wafer SSP-Widerstand＞0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxie-Wafer

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:PIN GaN On Sapphire Wafer, 4 Inch GaN On Sapphire Wafer
4 Zoll UID-dotiertes GaN vom N-Typ auf Saphirwafer SSP-Widerstand > 0,5 Ω cm LED, Laser, PIN-Epitaxiewafer   Beispielsweise ist GaN das Substrat, das violette (405 nm) Laserdioden ermöglicht, ohne Verwendung einer nichtlinearen optischen Frequenzverdopplung.Seine Empfindlichkeit gegenüber ionis... Mehr sehen
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China JDCD05-001-004 3 * 3 mm2 * 0,5 mm Einkristall-Diamant in elektronischer Qualität, N-Gehalt < 100 ppb, XRD < 0,015º Wärmeleitfähigkeit zu verkaufen

JDCD05-001-004 3 * 3 mm2 * 0,5 mm Einkristall-Diamant in elektronischer Qualität, N-Gehalt < 100 ppb, XRD < 0,015º Wärmeleitfähigkeit

Preis: Negotiable
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Lieferzeit: 3-4 week days
Marke: GaNova
Markieren:3*3mm2*0.5mm Single Crystal Diamond
JDCD05-001-004 3 * 3 mm2 * 0,5 mm Einkristalldiamant in elektronischer Qualität, N-Gehalt < 100 ppb, XRD < 0,015 ° Wärmeleitfähigkeit 1000-2200 für Kühlkörper   Überblick CVD-Diamanten sind echte Diamanten.Obwohl in einem Labor gezüchtet, sind CVD-Diamanten Diamanten in Edelsteinqualität, d... Mehr sehen
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China JDWY01-001-007 2 Zoll Dickschicht (4,5) Um AIN auf Saphirwafer, SSP, XRD FWHM von (002) ≤ 160 Bogensekunden \ (102) ≤ 400 Bogensekunden zu verkaufen

JDWY01-001-007 2 Zoll Dickschicht (4,5) Um AIN auf Saphirwafer, SSP, XRD FWHM von (002) ≤ 160 Bogensekunden \ (102) ≤ 400 Bogensekunden

Preis: Negotiable
MOQ: Negotiable
Lieferzeit: Negotiable
Marke: GaNova
Markieren:SSP AIN On Sapphire Wafer
2 Zoll dicker Film (4,5) um AIN auf Saphirwafer, SSP, XRD FWHM von (002) ≤ 160 Bogensekunden (102) ≤ 400 Bogensekunden UV-Desinfektion, LED-Chip   Saphir ist ein Material mit einer einzigartigen Kombination physikalischer, chemischer und optischer Eigenschaften, die es widerstandsfähig gegen hohe ... Mehr sehen
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