...
>
D-RAM-Speicherchip
(25)
Geschwindigkeit Samsungs GDDR5 256Kx32-25 K4G80325FB-HC25 BGA Speicherchip-8GB
Preis: Negotiation
MOQ: 100PCS
Lieferzeit: Negotiable
Markieren:dynamischer Direktzugriffsspeicher, RAM-Gedächtnis IC
Samsung GDDR5 256Kx32-25 (K4G80325FB-HC25) BGA MEMORY CHIP Samsung GDDR5 sets the standard in achieving vibrant power-efficient performance in VGA cards, game consoles and high performance computing (HPC). Item Details: Specifications Density 8Gb Org. 256M x 32 Speed 8.0 Gbps Refresh 16K / 32 ms Pac... Mehr sehen
➤ Besuch Webseite
8G Denisty lange Lebensdauer des Dram-Computer-Chip-SKHYNIX GDDR5 SDRAM H5GC8H24MJR-T2C
Preis: Nigotiation
MOQ: 100pcs
Lieferzeit: Negotiable
Markieren:dynamischer Direktzugriffsspeicher, RAM-Gedächtnis IC
SKHYNIX GDDR5 SDRAM H5GC8H24MJR-T2C 256*32 memory chip Product Specifications: Part No. Den. Org. Vol Ref. Speed Power PKG Product Status H5GC4H24AJR 4Gb x32 1.35V/1.5V 16K Ref. R0C/T2C Normal Power FCBGA Mass production H5GQ4H24AJR 4Gb x32 1.55V/1.35V 16K Ref. R4C Normal Power FCBGA Mass production... Mehr sehen
➤ Besuch Webseite
7,0 beschleunigen Sie Dichte Gbps-D-RAM Speicherchip-K4G80325FB-HC28 GDDR5 256Kx32-28 BGA 8G
Preis: Negotination
MOQ: 100PCS
Lieferzeit: Negotiable
Markieren:dynamischer Direktzugriffsspeicher, RAM-Gedächtnis IC
K4G80325FB-HC28 GDDR5 256Kx32-28, BGA MEMORY CHIP Samsung GDDR5 swiftly achieves video and 3D graphics-intensive performance, with a data rate nearly three times faster than GDDR3. Specifications Density 8Gb Org. 256M x 32 Speed 7.0 Gbps Refresh 16K / 32 ms Package 170FBGA Product Status Mass Produc... Mehr sehen
➤ Besuch Webseite
H5TC4G63CFR - Speicherchip 256MX16 CMOS PBGA96 D-RAM PBAR DDR3 Dram-Modul
Preis: Negotiation
MOQ: one package
Lieferzeit: Negotiable
Markieren:dynamischer Direktzugriffsspeicher, RAM-Gedächtnis IC
H5TC4G63CFR-PBAR DDR3 DRAM Memory ( 256MX16, CMOS, PBGA96) The parts are a 4Gb low power Double Data Rate III (DDR3L) Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which requires large memory density, high bandwidth and low power operation at 1.35V. SK Hynix DDR3L SDRAM provides ... Mehr sehen
➤ Besuch Webseite
K4G10325FG-HC04 1Gb 32Mx32 GDDR5 Speicherchip FBGA170
Preis: Negotiation
MOQ: 1pacakge
Lieferzeit: 3-5 work days
Markieren:dynamischer Direktzugriffsspeicher, RAM-Gedächtnis IC
K4G10325FG-HC04 1Gb 32Mx32 GDDR5 Memory chip BGA170 Package Performance Parameters: Mehr sehen
➤ Besuch Webseite
D-RAM HY5DU561622FTP-5 Speicherchip SDRAM-Gedächtnis 256 Mbit-Oberflächen-Berg 200MHz 2,4 - 2,7 V
Preis: Negotiation
MOQ: 1 package
Lieferzeit: 3-5 work days
Markieren:dynamischer Direktzugriffsspeicher, RAM-Gedächtnis IC
HY5DU561622FTP-5 DRAM Memory Chip SDRAM Memory 256Mbit Surface Mount, 200MHz, 2.4 → 2.7 V Attribute Value Memory Size 256Mbit Organisation 16M x 16 bit Data Rate 200MHz Data Bus Width 16bit Number of Bits per Word 16bit Number of Words 16M Mounting Type Surface Mount Package Type TSOP Pin Count 66 D... Mehr sehen
➤ Besuch Webseite
Oberflächen-Berg-hohe Leistungsfähigkeit des H5TQ4G63CFR-RDC Dram-Speicherchip-256MX16 CMOS PBGA96
Preis: Negotiation
MOQ: 1 package
Lieferzeit: 3-5 work days
Markieren:dynamischer Direktzugriffsspeicher, RAM-Gedächtnis IC
Dram Memory Chip H5TQ4G63CFR-RDC DDR DRAM, 256MX16, CMOS, PBGA96 The H5TQ4G63 is a 4,294,967,296-bit CMOS Double Data Rate III (DDR3) Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which requires large memory density and high bandwidth. SK Hynix 4Gb DDR3 SDRAMs offer fully synchro... Mehr sehen
➤ Besuch Webseite
Gedächtnis-Speicher D-RAM Speicherchip-K4B4G1646E-BCMA 4gb Ddr3 1866mhz 512MB
Preis: Negotiation
MOQ: 1 package
Lieferzeit: 3-5 work days
Markieren:dynamischer Direktzugriffsspeicher, Dramcomputer-chip
DRAM Memory Chip K4B4G1646E-BCMA 4Gb DDR3-1866MHz,512MB Memory Chip Storage Specifications Density 4Gb Org. 512M x 8 Speed 1866 Mbps Voltage 1.5 V Temp. 0 ~ 85 °C Package 96FBGA Product Status Mass Production Mehr sehen
➤ Besuch Webseite
D-RAM Speicherchip H9CCNNN8GTMLAR-NTD 8gb Lpddr3 Ram-Gedächtnis-Speicher für Laptop-hohe Geschwindigkeit
Preis: Negotiation
MOQ: 1 package
Lieferzeit: 3-5 work days
Markieren:dynamischer Direktzugriffsspeicher, RAM-Gedächtnis IC
DRAM Memory Chip H9CCNNN8GTMLAR-NTD 8Gb LPDDR3 (x32) Memory Chip Storage Specifications Mehr sehen
➤ Besuch Webseite
Ram-Gedächtnis H9CCNNN8JTALAR 8Gb für Speicher der Tischrechner-LPDDR3 BGA178
Preis: Negotiation
MOQ: 1 package
Lieferzeit: 3-5 work days
Markieren:Dramcomputer-chip, RAM-Gedächtnis IC
DRAM Memory Chip H9CCNNN8JTALAR 8Gb LPDDR3 BGA178 Memory Chip Storage H9CCNNN8JTALAR Features: [ FBGA ] Operation Temperature - -30'C ~ 105'C Packcage - 178-ball FBGA - 11.0x11.5mm2, 1.00t, 0.65mm pitch - Lead & Halogen Free [ LPDDR3 ] VDD1 = 1.8V (1.7V to 1.95V) VDD2, VDDCA and VDDQ = 1.2V (1.... Mehr sehen
➤ Besuch Webseite
Speicherchip D-RAM H9HCNNN4KMMLHR 4Gb, Ram-Chip-Speicher Computer LPDDR4 BGA200
Preis: Negotiation
MOQ: 1 package
Lieferzeit: 3-5 work days
Markieren:dynamischer Direktzugriffsspeicher, Dramcomputer-chip
DRAM Memory Chip DRAM Memory Chip H9HCNNN4KMMLHR 4Gb LPDDR4 BGA200 Memory Chip Storage Features: VDD1 = 1.8V (1.7V to 1.95V) · VDD2 and VDDCA = 1.1V (1.06V to 1.17V) · VDDQ = 0.6V (0.57V to 0.65V) · VSSQ terminated DQ signals (DQ, DQS_t, DQS_c, DMI) · Single data rate architecture for command and ad... Mehr sehen
➤ Besuch Webseite
Gedächtnis Denity 256X32M K4Z80325BC-HC16 FBGA SAMSUNGS 8G Ram des internen Speichers GDDR6
Preis: Negociation
MOQ: 10PCS
Lieferzeit: 3-5days
Markieren:dynamischer Direktzugriffsspeicher, RAM-Gedächtnis IC
GDDR6 SAMSUNG 8G 256X32M K4Z80325BC-HC16 FBGA-Memory Storage GDDR6 supports the widest range of applications, from accelerators for high-performance computing, to workstations, consoles and laptops, offering an exceptional combination of power, bandwidth and density in the industry. Specification: D... Mehr sehen
➤ Besuch Webseite
D-RAM Speicherchip MT53B384M64D4NK-062 GEWICHT SDRAM Lpddr4 24Gb (384M x 64) 1600MHz
Preis: Negotiation
MOQ: 1 package
Lieferzeit: 3-5 work days
Markieren:dynamischer Direktzugriffsspeicher, RAM-Gedächtnis IC
Dram Memory Chip MT53B384M64D4NK-062 WT:A SDRAM - Mobile LPDDR4 Memory IC 24Gb (384M x 64) 1600MHz PCN Obsolescence/ EOL Mult Dev EOL 2/May/2016 Product Attributes Select All Categories Integrated Circuits (ICs) Memory Manufacturer Micron Technology Inc. Series - Packaging Tape & Reel (TR) Part ... Mehr sehen
➤ Besuch Webseite
D-RAM K4G41325FC-HC03 Speicherchip GDDR5 SGRAM 4G-Bit 128M x 32 1.5V 170-Pin FBGA
Preis: Negotiation
MOQ: 1 piece
Lieferzeit: 3-5 work days
Markieren:dynamischer Direktzugriffsspeicher, RAM-Gedächtnis IC
DRAM Memory Chip K4G41325FC-HC03 ,GDDR5 SGRAM 4G-Bit 128M x 32 1.5V 170-Pin FBGA Performance Parameters: Data Bus Width: 32bit Density: 4GB Mounting : Surface Mount Number of Banks: 16 Number of Bits per Word: 32bit Number of I/O Lines: 32bit Operating Supply Voltage:1.5V Organization: 128Mx32 Pin C... Mehr sehen
➤ Besuch Webseite
D-RAM Speicherchip K4B4G1646E-BYK0 - DDR3L SDRAM 4Gbit 256M x 16 1.5V 96-Pin FBGA Mbps 1600
Preis: Negotiation
MOQ: 1 package
Lieferzeit: 3-5 work days
Markieren:dynamischer Direktzugriffsspeicher, RAM-Gedächtnis IC
DRAM Memory Chip K4B4G1646E-BYK0 - DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.5V 96-Pin FBGA It was developed in 2005, Samsung’s industry-first DDR3 is the most used system solution, from PCs and home appliances, to automotive and medical devices. Specifications Density 4Gb Org. 512M x 8 Speed 1600 Mbps Voltage 1.... Mehr sehen
➤ Besuch Webseite
D-RAM Speicherchip, K3RG3G30MM-MGCH 3gb Lpddr3 Speicherchip-Speicher
Preis: Negotiation
MOQ: 1 package
Lieferzeit: 3-5 work days
Markieren:dynamischer Direktzugriffsspeicher, Dramcomputer-chip
DRAM Memory Chip K3RG3G30MM-MGCH 3GB LPDDR Memory Chip Feature: Lifecyle :Active EU RoHS :Unknown EU RoHS Version:2002/95/EC Description: M-DIE LOW POWER DDR4 DRAM 24GB DENSITY Taxonomy Memory > Memory Chips > DRAM Chip Introduction Date:2016-01-19 00:00:00 ECCN:EAR99 Supplier Cage Code:1542F ... Mehr sehen
➤ Besuch Webseite
HY5PS12821CFP-C4-C D-RAM Speicherchip 512Mb DDR2 SDRAM
Preis: Negotiation
MOQ: 1 package
Lieferzeit: 3-5 work days
Markieren:Dramcomputer-chip, RAM-Gedächtnis IC
Mehr sehen
➤ Besuch Webseite
H9HCNNNBUUMLHR-D-RAM Speicherchip, Gedächtnis 16gb Ram für Personal-Computer-LPDDR4 BGA200
Preis: Negotiation
MOQ: 1 package
Lieferzeit: 3-5 work days
Markieren:dynamischer Direktzugriffsspeicher, RAM-Gedächtnis IC
DRAM Memory Chip DRAM Memory Chip H9HCNNNBUUMLHR 16Gb LPDDR4 BGA200 Memory Chip Storage Specifications H9HCNNNBUUMLHR Features · VDD1 = 1.8V (1.7V to 1.95V) · VDD2, VDDCA and VDDQ = 1.1V (1.06 to 1.17) · VSSQ terminated DQ signals (DQ, DQS_t, DQS_c, DMI) · Single data rate architecture for command a... Mehr sehen
➤ Besuch Webseite
Externes Gedächtnis des Ram-4gb EDW4032BABG-70-F-D (128 Wörter X 32bits) GDDR5 SGARM
Preis: Negotiation
MOQ: 1package
Lieferzeit: 3-5 work days
Markieren:Dramcomputer-chip, RAM-Gedächtnis IC
Dram Memory Chip EDW4032BABG-70-F-D (128 Words X 32bits ) 4G bits GDDR5 SGARM SGRAM - GDDR5 Memory IC 4Gb (128M x 32) Parallel 1.75GHz 170-FBGA (12x14) Basic Description: Item Number EDW4032BABG-70-F-D MFG MICRON Packaging TRAY PACKAGE Product Attributes Categories Integrated Circuits (ICs) Memory E... Mehr sehen
➤ Besuch Webseite
EDS2516ADTA-75-E Speicherchip-(16M fasst X 16bits) ab, 256M Bits DDR SDRAM
Preis: Negotiation
MOQ: 1package
Lieferzeit: 3-5 work days
Markieren:dynamischer Direktzugriffsspeicher, Dramcomputer-chip
DRAM Memory Chip EDS2516ADTA-75-E (16M words X 16bits) 256M bits DDR SDRAM Feature: Mehr sehen
➤ Besuch Webseite